​ 삼성 전자 모바일 DDR4 8Gb 램 양산

(출처 : 삼성 전자)

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 삼성 전자가 세계에서 처음으로 20 나노 LPDDR4 8 Gb 의 양산에 돌입한다고 발표했습니다. 이는 지난 9월 6 Gb LPDDR3 램 양산 이후 불과 3 개월 만의 일로서, 메모리 분야에서 삼성의 경쟁력을 옅볼 수 있게 만드는 대목입니다. 새로운 LPDDR4 8 Gb (1GB) 메모리는 4개를 사용해서 4 GB LPDDR4 구성을 가능케 하는데, DDR4 규격을 따르는데다 미세 공정을 도입했기 때문에 전력 소비가 적은 것이 특징입니다. 

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 삼성 전자에 의하면 이 새로운 메모리는 기존의 LPDDR3 대비 2배 빠르면서 소비 전력은 40% 나 작다고 합니다. DDR4 는 분명 DDR3 대비 속도가 빠르면서 저전력이긴 하지만 이렇게 큰 차이가 나는 이유는 저전압 스윙 터미네이티드 로직(Low Voltage Swing Terminated Logic, LVSTL)이라는 독자 기술을 사용한 덕분이라고 하네요.

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 삼성 전자는 이 새로운 LPDDR4가 3200 Mb/s의 빠른 속도로 UHD 동영상 촬영 및 2000만 화소급 초고화질 사진 연속 촬영을 가능하게 할 것이라고 설명했습니다. 참고로 삼성 전자는 이 메모리를 통해 CES 에서 3년 연속으로 혁신상을 수상하게 되었다고 합니다.

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 여기까지는 삼성 전자가 배포한 보도자료 내용이지만 더 중요한 것은 LPDDR4 메모리 양산이 가져올파급 효과입니다. 이전에 소개드린 것처럼 올해 말 퀄컴은 스냅드래곤 810의 레퍼런스 킷 (  http://jjy0501.blogspot.kr/2014/11/Snapdragon-810-developer-kit.html 참조) 을 배포하면서 여기에 4GB LPDDR4를 탑재했습니다.

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 이것이 의미하는 바는 2015년에 이르러 64비트 프로세서가 모바일 시장에 도입되면서 동시에 4 GB 이상의 메모리 역시 같이 도입될 가능성이 있다는 것입니다. 안드로이드 L 역시 64 비트 지원을 표방하고 있는데다 삼성 역시 고용량 LPDDR4 를 내놓았다는 것은 의미심장합니다.

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 2015년에서 2016년은 빠르게 DDR4 로의 이전이 예상되고 있습니다. 그러나 이번에는 모바일 부분에서의 전환 속도가 더 빠를지도 모릅니다. 저전력이 가지는 이점은 모바일에서 더 크기 때문이죠. 아무튼 4 GB LPDDR4 메모리를 사용한 스마트폰이 이제 슬슬 가시권에 들어온 셈인데 몇 년사이 스마트폰의 발전속도는 꽤 놀랍다는 생각입니다. 물론 이것이 가능한 이유는 메모리 같은 다양한 제반 기술이 같이 발전했기 때문이겠죠.

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참고

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​http://samsungtomorrow.com/%ec%82%bc%ec%84%b1%ec%a0%84%ec%9e%90-%ec%84%b8%ea%b3%84-%ec%b5%9c%ec%b4%88-%ec%b0%a8%ec%84%b8%eb%8c%80-20%eb%82%98%eb%85%b8-8%ea%b8%b0%ea%b0%80%eb%b9%84%ed%8a%b8-%eb%aa%a8%eb%b0%94%ec%9d%bc-d

     

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