(출처 : 삼성 투머로우)
삼성전자가 보도자료를 내고 세계 최초로 12Gb 용량의 LPDDR4 양산에 들어갔다고 발표했습니다. 이 새로운 LPDDR4는 모바일 용이지만, 엄청난 기록밀도와 더불어 4266Mb/s라는 놀라운 속도를 구현하는데 성공했다는데 의의가 있습니다. 이를 네개를 수직으로 쌓으면 6GB 용량의 LPDDR4를 하나의 칩으로 구성할 수 있어 대용량 고속 메모리를 가진 모바일 기기의 개발이 가능합니다.
작년말 8Gb 용량의 LPDDR4 (3200Mb/s) 개발 이후 불과 9개월 안에 20nm 공정 기반으로 차기 제품을 양산한 셈인데, 놀라운 점은 밀도보다는 속도입니다. 4266Mb/s는 대중적인 PC용 DDR4 램의 2133Mb/s의 두 배 속도이기 때문이죠. 이점을 감안하면 내년에는 꽤 빠른 DDR4 램이 대중화 될지도 모르겠다는 생각입니다.
삼성전자의 모바일 D램 양산 과정을 보면
• 2009년 256MB (50나노급 1기가 MDDR, 400Mb/s)
• 2010년 512MB (40나노급 2기가 MDDR, 400Mb/s)
• 2011년 1GB·2GB (30나노급 4기가 LPDDR2, 1066Mb/s)
• 2012.8월 2GB (30나노급 4기가 LPDDR3, 1600Mb/s)
• 2013.4월 2GB (20나노급 4기가 LPDDR3, 2133Mb/s)
• 2013.7월 3GB (20나노급 4기가 LPDDR3, 2133Mb/s)
• 2013.11월 3GB (20나노급 6기가 LPDDR3, 2133Mb/s)
• 2014.12월 4GB (20나노 8기가 LPDDR4, 3200Mb/s)
• 2015.8월 3/6GB (20나노 12기가 LPDDR4, 4266Mb/s)
• 2010년 512MB (40나노급 2기가 MDDR, 400Mb/s)
• 2011년 1GB·2GB (30나노급 4기가 LPDDR2, 1066Mb/s)
• 2012.8월 2GB (30나노급 4기가 LPDDR3, 1600Mb/s)
• 2013.4월 2GB (20나노급 4기가 LPDDR3, 2133Mb/s)
• 2013.7월 3GB (20나노급 4기가 LPDDR3, 2133Mb/s)
• 2013.11월 3GB (20나노급 6기가 LPDDR3, 2133Mb/s)
• 2014.12월 4GB (20나노 8기가 LPDDR4, 3200Mb/s)
• 2015.8월 3/6GB (20나노 12기가 LPDDR4, 4266Mb/s)
으로 그 발전속도가 PC용 메모리보다 더 빠른 것 같다는 느낌입니다. 여기에 이미 4266Mb/s라는 DDR4 표준 규격의 최고 속도에 도달해 (JEDEC 표준은 2133-4266Mb/s) 앞으로 DDR4 이후의 새로운 규격이 더 필요하겠다는 생각이 듭니다.
물론 과거 DDR2나 DDR3가 그랬듯이 오버클럭을 통해서 얼마든지 그보다 빠른 메모리들이 등장할 것입니다. 하지만 그것이 새로운 표준의 필요없다는 이야기는 아닙니다. 사실 IDF 2015에서 삼성 전자는 post DDR4 라는 단어를 언급한 바 있습니다. DDR5/LPDDR5에 해당하는 규격이 빠르게 만들어져야 할 이유가 있을 것 같습니다. (한 가지 사족이라면 여기서 삼성 전자는 DDR4 다음 메모리가 적층형 메모리가 될 것이라는 점을 암시했습니다)
현재 기술 수준을 고려해 보면 내년에는 4GB 이상의 대용량 고속 LPDDR4 램이 고성능 모바일 기기에 탑재될 수 있을 것 같습니다. 과연 이정도 성능이 필요한지라는 질문이 나올 수도 있지만, 빨라서 더 나쁠일은 없는 것이죠.
참고
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