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2013년 12월 18일 수요일

3차원 적층 메모리 개발을 위해 손잡은 SK 하이닉스와 AMD



 과거와 마찬가지로 현재도 메모리의 용량과 속도를 늘리려는 경쟁은 계속되고 있습니다. PC 및 모바일 시장을 위한 DDR4 메모리 전환이나 GDDR5 이후의 그래픽 메모리, eDRAM 등 다양한 형태의 고속 메모리가 개발 중에 있고 여기에 더해서 공정 미세화에 의한 저전력 고용량화도 진행되고 있습니다. 이와 병행해서 주요 반도체 회사들은 여려층의 메모리를 마치 아파트처럼 적층하는 3차원 적층 반도체를 개발하고 있습니다. 이와 같은 3D Stacked Memory 의 대표적인 형태에는 마이크론이 주도하고 삼성 전자, IBM, 인텔 등 여러 회사가 참여하는 HMC 가 있습니다. (HMC 에 대해서는 아래 링크 참조) 





 그런데 AMD 과 SK 하이닉스가 손잡고 또 다른 3D 스택 메모리인 HBM (High Bandwidth Memory) 를 개발한다는 소식입니다. AMD 와 SK 하이닉스가 개발하는 HBM 은 네트워크 및 그래픽 시장을 노리는 고속 적층 메모리이며 메인 메모리 시장을 위해서는 3DS 라는 다른 적층 메모리를 개발할 것이라고 하네요. HBM 은 GDDR5 대비 65% 향상된 성능과 40% 줄어든 전력 소모를 보일 것으로 예상된다고 합니다. 





   
(출처  : wccftech ) 


 소식을 전한 wccftech 에 의하면 AMD 는 HBM 이 미래의 CPU, GPU, APU 의 모습을 바꿀 것이라고 기대하고 있다고 합니다. 현재까지는 시제품도 등장하지 않은 상황이지만 확실히 DRAM 에 3 차원 적층 기술인 TSV (Through Silicon Via) 을 적용하면 대역폭을 획기적으로 늘릴 수 있는 것은 사실입니다. 여려개의 메모리를 병렬로 연결하는 효과를 볼 수 있기 때문이죠. GDDR5 가 칩당 28 GB/s (7 Gbps x32) 를 지원할 수 있는 반면 TSV 가 적용된 스택 DRAM 들은 128 - 256 GB 까지도 가능할 것으로 보입니다. 이미 엔비디아는 스택 DRAM 을 이용해 1 TB/s 의 메모리 대역폭을 Volta 에서 구현할 계획을 가지고 있습니다. 



(출처 : 엔비디아) 


 볼타가 2015 년 등장할 예정이기 때문에 2014 년에는 스택 DRAM 의 개발이 상당히 진행되어야 합니다. 다행히 이미 HMC 는 시제품이 나온 상태이고 HBM 역시 이미 시제품의 샘플링이 되고 있다고 하네요. 둘다 양산이 2014 년에 가능할 것이라고 하는데 과연 합리적인 가격으로 충분한 양의 제품이 출시될 수 있을지가 궁금합니다. 


 용량대 가격만 합리적으로 나온다면 속도와 크기 면에서는 기존의 메모리에 비해서 비교할 수 없을 만큼 큰 이점을 지니기 때문에 어쩌면 적층되지 않은 보통 (?) DRAM 은 더 설자리가 없을 수도 있습니다. 다만 초기에는 가격과 생산량 모두가 보급에 걸림돌이 될 것으로 보입니다. 


 참고 






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