(8Gb LPDDR4 메모리 출처 : 삼성 전자 )
삼성전자가 2013 년 12월 30일 8 Gb LPDDR4 를 개발했다고 공개하고 내년에 본격 양산할 것이라고 발표했습니다. 이번에 공개된 제품은 20 nm 급 공정 LPDDR4 로 삼성전자가 개발하고 JEDEC 이 표준으로 확정한 LVSTL(Low Voltage Swing Terminated Logic) IO 기술을 사용해 대역폭을 3200 Mb/s 까지 확보 LPDDR3 대비 2 배 빨라졌으며 1.1 V 의 저전력을 구현 소비전력도 40% 낮췄다는 것이 삼성전자의 설명입니다.
DDR4 의 가장 큰 의의는 역시 속도가 DDR3 보다 빨라졌다는 것 이외에 전압을 낮춰 같은 성능이면 전력 소모를 더 줄였다는 데 있습니다. 이는 PC 영역에서도 물론 중요하지만 한정된 배터리를 사용해야 하는 모바일 영역에서 더 의미가 있는 이야기 입니다. 어쩌면 DDR4 의 적용이 PC 보다 모바일 부분에서 더 빨라질 가능성도 있는데 이런 저전력 특징 때문입니다.
삼상전자에 의하면 이 8 Gb LPDDR4 4 개를 적층해 4 GB 모바일 램을 만들수 있다고 합니다. 현재 양산되는 4 Gb LPDDR3 나 6 Gb LPDDR3 에 비해 램 용량을 더 늘리면서 전력 소모를 줄이고 속도까지 개선할 수 있는 만큼 내년에 이 메모리가 적용된 신제품들이 등장하면 스마트 기기들의 성능은 한단계 더 항샹될 것으로 생각됩니다. 이로써 UHD (즉 4K) 급 고화질을 지원하는 스마트폰, 타블렛, 울트라 슬림 노트북 등 모바일 기기기 시장을 주도해 갈 것이라는 것이라고 하네요.
삼성전자는 8 Gb LPDDR4 제품을 통해 프리미엄 모바일 기기 시장 공략에 박차를 가할 예정이지만 구체적으로 어떤 제품에 적용할 것인지는 밝히지 않았습니다. 개인적인 예상이지만 2014 년 등장할 것으로 보이는 64 비트 ARM AP 들 (차기 엑시노스와 스냅드래곤이 그 후보들이지만 이 글을 쓰는 시점까지는 확실하게 공개된 것은 없고 루머만 나오고 있음) 와 같이 적용된다면 적어도 하드웨어적인 부분에서는 4 GB 이상 램을 사용하는 안드로이드 기기의 사용이 가능해질 것으로 보입니다.
한편 공교롭게도 같은 날 SK 하이닉스도 20 nm 급 8 Gb LPDDR4 를 공개했습니다. 물론 양산은 2014 년부터인데 이것은 DDR4 의 대량 양산이 본래 2014 년으로 잡혀있는 것과 밀접한 연관이 있어 보입니다. 2014 년에는 서버 및 하이엔드 PC 부분 (하스웰 E/EP) 에서 DDR4 가 본격적으로 사용될 것으로 알려져 있습니다. 이에 따라 2014 년에는 DDR3 보다 높은 마진율이 예상되는 DDR4 시장에서 경쟁이 치열할 것으로 예상됩니다.
2014 년부터 모바일과 PC 모두에서 DDR4 로의 전환이 시작될 것이며 2015 년에는 DDR3 를 본격적으로 대체해 2016 년이면 세대 교체가 어느 정도 완료될 것으로 예상되고 있습니다. 물론 어느 정도 빠른 속도로 대체하는 지는 그 때가 되봐야 알겠지만 DDR -> DDR2 -> DDR3 의 전환기를 생각해 보면 수년 정도면 대세가 변하는 데는 충분할 것으로 보입니다.
아무튼 LPDDR4 규격 스마트폰이라고 하니 세상이 정말 빠르다는 느낌도 함께 드네요.
참고
댓글
댓글 쓰기