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2014년 8월 27일 수요일

첫번째 3D TSV 기술 적용 DDR4 모듈 양산에 들어간 삼성 전자

 

 2014 년은 하스웰 E/EP 의 등장과 더불어 본격적으로 DDR4 가 시장에 풀리는 시점이 될 것으로 보입니다. 이에 따라 여러 회사에서 DDR4 모듈을 선보이고 있는 가운데 삼성 전자가 세계 최초로 3D TSV (through silicon via) 기술을 적용한 64 GB (!) DDR4 모듈의 양산에 들어갈 것이라고 보도 자료를 통해 발표했습니다. 



(Source : 삼성 전자 )  

 20 nm 급 제조 공정으로 만들어진 이 DDR4 메모리는 각각 4 Gb 급 DDR4 DRAM 다이 4 개로 구성된 36 개의 DDR4 DRAM 칩으로 구성되어 있으며 3 차원적으로 메모리 다이를 쌓는 방법으로 전례없는 기록 밀도를 확보하게 되었습니다. 이미 삼성 전자에서 이전에 선보인 V 낸드 (D Vertical NAND (V-NAND) flash memory) 와 더불어 메모리 부분에서 다이를 아파트처럼 쌓는 방법으로 메모리의 용량을 크게 증가시킨 것입니다. 이를 테면 3D 메모리 시대 (3D memory era) 를 선보였다고 할 수 있습니다. 


 각각의 DDR4 다이는 불과 수십 마이크로미터 두께에 불과한 상태이지만 여기에는 수백개의 구멍이 있어 다른 다이와 연결되어 있습니다. 수직으로 연결된 이 다이들은 기존의 모듈보다 두배나 빠르면서 전력은 절반만 소모한다는 것이 삼성 전자의 설명입니다. 말은 간단하지만 사실 구현하기는 극도로 어려운 기술이라고 하겠죠.  


 삼성 전자는 2010 년 40 nm 급 8GB DRAM RDIMM​ 와 2011 년 30 nm 급  32GB DRAM RDIMM 을 3D TSV 로 구현한 바 있으며 이제 본격적으로 TSV 기술을 응용한 대용량 DDR4 메모리를 양산하는 단계에 들어갔다고 합니다. 아무튼 앞으로 좀 더 외계인들을 고문해 더 빠르고 저렴한 DDR4 메모리를 대중화 시켜 주기를 기대해 보겠습니다. (그런데 한개당 64 GB DDR4 메모리라면 이걸 서버에 달면 ㄷㄷㄷ ) 


 참고 

 

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