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2014년 8월 17일 일요일

인텔의 14 nm 공정 2 세대 Tri Gate Transistor



 인텔은 브로드웰 Y 프로세서에 대한 상세 내용을 소개하면서 (http://jjy0501.blogspot.kr/2014/08/Broadwell-Y-preview.html​ ) 동시에 이 14 nm 공정 프로세서를 생산하는 2 세대 Tri Gate Transistor​ 생산 공정에 대해서도 상세한 데이터를 공개했습니다. 이와 같은 데이터 공개는 예상보다 늦어진 14 nm 프로세서에 대한 우려를 불식시키고 현재 예정보다 약간 늦기는 했지만 순조롭게 다음 공정으로 나가고 있다는 점을 설명하기 위한 의도처럼 보입니다. 


 인텔에 의하면 사실 14 nm 공정 양산은 2014 년 1 분기 이미 진행되고 있었으나 수율 문제로 인해서 최근까지 22 nm 공정에 비해 낮은 수율을 보였다가 최근에는 22 nm 공정을 따라잡고 있다고 합니다. 14 nm 공장은 오레곤과 애리조나주에서 올해, 그리고 아일랜드에서 내년에 오픈할 것이며 충분한 물량이 공급되어 다양한 제품들을 찍어내는 것은 2015 년 상반기에 가능할 것으로 예상했습니다.  사실 본래 로드맵과 비교하면 거의 반년에서 일년정도 늦어진 셈이라고 할 수 있죠. 








(Source: Intel) 


 22 nm 공정과 비교해서 14 nm 공정은 트랜지스터의 세가지 패러미터 :  transistor fin pitch, transistor gate pitch, interconnect pitch 가 22 - 35% 정도 감소했다고 합니다. 사진으로 보면 과거 보다  트랜지스터의 핀이 매우 얇아지면서 높아진 점을 알 수 있습니다. 이런걸 보면 미세 공정의 한계에 도달한 듯한 14 nm Tri gate 공정인 것 같습니다.




(Source : intel) 


 새로운 14 nm 공정의 도입을 통해서 인텔은 누설 전류를 줄이고 와트당 성능을 세대당 1.6 배 정도 끌어올릴 수 있다고 주장하고 있습니다. 물론 기록 밀도가 높아지면서 평방 밀리미터당 제조 단가는 올라가도 트랜지스터 한개당 가격은 급격히 떨어지고 있습니다. 





 
(Source : intel ) 

 물론 길고 짧은 건 직접 재봐야 알겠지만 현재까지 인텔이 보여준 미세 공정 능력과 공정이 진화할 수록 거듭된 성능 향상은 믿음이 가는 부분입니다. 14 nm 공정까지 줄어든 브로드웰 Y 프로세서는 7.2 mm 에 불과한 얇은 타블렛에 탑재될 수 있을 만큼 전력 소모가 감소했습니다. 이제 낮은 전력 소모를 장기로 내세웠던 ARM 진영과 본격적으로 할 만한 싸움이 된 셈입니다. 

 과연 칩질라라 불린 인텔이 모바일 시대의 거센 풍랑을 이겨내고 계속해서 진화하는 공룡으로 살아남게 될지 궁금합니다. 그리고 한가지 더 언급하고 싶은 것은 현대 과학기술의 경이라고 부를 만한 미세 공정입니다. 전자 현미경 사진을 보면 '어떻게 인간이 이런 일을... ' 하는 생각이 들만큼 놀라운 초미세 공정인 것 같습니다. 


 참고 




  

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