상변이 메모리 (Phase Chage Memory, PCM/PRAM) 은 이름처럼 상태가 변하는 성질을 이용해서 데이터를 기록하는 형태의 메모리로 전원을 꺼도 데이터를 보존 가능합니다. 즉 낸드 플래쉬 처럼 비휘발성 메모리면서 동시에 DRAM 만큼 빨라질 수 있기 때문에 차세대 메모리로 각광을 받고 있지만 저장 장치의 중요한 안정성, 가격 등 여러가지 요소를 아직 충족시키지 못했기 때문에 상용화까지는 아직 시간이 더 걸릴 것으로 예상하고 있습니다. 다만 계속해서 개발 소식은 들려오고 있습니다.
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최근 있었던 2014 년 플래쉬 메모리 서밋 (Flash Memory Summit 2014) 에서 웨스턴 디지털에 인수된 HGST 는 45nm 1Gb 상변이 메모리를 사용한 PCIe 기반의 SSD 프로토타입을 선보였습니다. 이 SSD 는 512 Byte 에서 300 만 IOPS 의 랜덤 엑세스 속도를 지니고 있으며 2.0 X 4 PCIe 슬롯을 사용합니다.
(HGST 의 프로토타입 PCM SSD )
이 SSD 에 1 us 에 가까운 레이턴시를 확보하기 위해서는 기존의 SSD 방식으로는 불가능했기 때문에 HGST 의 연구팀은 샌디에고의 캘리포니아 대학이 연구한 새로운 커뮤니케이션 프로토콜을 사용했습니다. 이 새 프로토콜은 2014년 Usenix conference on File and Storage Technologies (FAST) 에서 공개되었던 것이라고 하네요.
비록 이 PCM SSD 가 기존의 SSD 보다 월등한 성능을 자랑하기는 하지만 저장 장치는 속도만이 전부는 아니라고 할 수 있습니다. 안정성, 내구성, 신뢰성과 더불어 가격 역시 저장 장치에 매우 중요한 요소가 될 것입니다. (물론 이건 SSD 뿐 아니라 다른 제품도 마찬가지지만... )
현재까지 신뢰할 수 있을 만한 PCM SSD 는 다소 시기 상조라고 할 수는 있지만 HGST 는 말할 것도 없고 삼성에서도 여러 프로토타입 PCM 메모리를 선보인 만큼 결국 상용화는 언젠가는 가능할 것으로 기대됩니다. 그 때가 되면 SSD 의 성능이 다시 한번 비약적으로 향상될 가능성이 있겠죠.
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