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2014년 8월 26일 화요일

15 nm 128Gbit MLC 낸드를 공개한 도시바/샌디스크



 최근 굴지의 반도체 기업들은 20 nm 가 아닌 10 nm 급의 제품들을 잇따라 양산 중에 있습니다. 그 중에서 2D 평면 낸드 플래쉬 메모리 중 가장 미세한 공정 웨어퍼가 2014 년 플래쉬 메모리 서밋 (Flash Memory Summit) 을 통해 공개되었습니다. 도시바와 샌디스크가 합작해서 만든 15nm 128Gbit MLC NAND 는 지금 시점에서 인간이 만든 미세 공정의 한계에 근접한 제품이라고 할 수 있습니다. 



(Source : Toshiba ? ) 


 소식을 전한 아난드텍에 의하면 새 128 Gbit 다이의 사이즈는 139 ㎟ 라고 합니다. 이를 평방 밀리미터 당 bit 로 환산하면 0.92 Gbit/ 에 달하는데 이는 삼성에서 작년에 양산에 들어간 128 Gbit 24 layer MLC V-NAND 의 0.96 Gbit/㎟ 에 이어 가장 높은 것이라고 합니다. 이것이 놀라운 점은 2D 낸드로 3D 낸드에 근접하는 밀도를 구현했을 뿐 아니라 마이크론의 16 nm 128 Gbit MLC NAND 의 0.74 Gbit/㎟​ 나 도시바/샌디스크의 19 nm 64 Gbit MLC 의 0.68 Gbit/㎟ 를 크게 넘어서고 있기 때문입니다. 


 그러나 다른 한편으로 이미 작년에 이 밀도를 넘어선 삼성 전자의 기술력 (http://jjy0501.blogspot.kr/2014/05/2nd-generation-V-NAND.html  참조) 에 놀라지 않을 수 없으며 이보다 더 어려운 14 nm Tri gate transistor 에 도전하는 인텔의 기술력  (http://jjy0501.blogspot.kr/2014/08/14-nm-2nd-gen-tri-gate-transistor.html​ 참조) 에도 놀라지 않을 수 없습니다.


 아무튼 이제 낸드 플래쉬 메모리가 1 mm X 1 mm 의 공간에 1 Gbit 를 기록하는 밀도에 도달한 셈인데 과연 언제까지 밀도가 높아질 수 있을 지 궁금합니다. 사실 3D 낸드가 가능해진 만큼 앞으로 더 높은 밀도에 도달하는 것은 시간문제일 가능성이 높겠죠. 더 빽빽하게 밀어넣기 힘들면 위로 높이 쌓으면 그만이니까 말이죠. 물론 그 과정이 말처럼 간단하지는 않다고 해도 세계적인 굴지의 기업들이 앞장을 서고 있는 만큼 결국은 시간 문제가 될 것입니다. 


 한편 도시바/샌디스크가 실제로 15 nm 낸드를 시장에 내놓는 것은 올해 4 분기가 될 것이라고 합니다. 따라서 이 때쯤 더 기록 밀도가 높은 SSD 나 microSD, USB 메모리 등이 등장할 수 있을 것으로 보입니다. 다만 공정이 더 미세해진 만큼 수명이 어느 정도일지도 궁금하네요. 


 참고 





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