Translate

2015년 11월 28일 토요일

128GB DDR4 모듈을 선보인 삼성 전자 - TSV를 이용한 초고용량 메모리의 시대



(출처: 삼성 투모로우) 


 삼성전자가 2014년 최초로 TSV(Through Silicon Via, 실리콘 관통 전극) 방식의 64GB DDR4 메모리 모듈을 선보인 후 최대 용량인 128GB DDR4 모듈을 양산하는데 성공했다는 소식입니다.


 TSV는 D램을 종이보다 얇은 두께로 깍은 후 수백개의 미세한 구멍을 뚫고 상단칩과 하단칩의 구멍을 수직으로 관통하는 방식으로 신호를 전달합니다. 덕분에 기존의 와이어 방식보다 훨씬 빠르고 소비전력이 낮은 특성이 있습니다.


 128GB RDIMM 모듈은 144개의 20nm 공정 8Gb DDR4 D램을 TSV로 4개씩 쌓아올린 것입니다. (따라서 외부에서 보면 총 36개의 D램 패키지가 있음) TSV D램은 소비 전력을 최대 50% 줄이면서도 2400~3200 Mbps의 속도를 구현했다는 것이 삼성 전자의 설명입니다.  


 TSV는 최근 미세 공정으로의 전환이 쉽지 않은 반도체 업계의 새로운 구세주가 되고 있습니다. 이미 그래픽 부분에서 차세대 메모리로 각광을 받는 HBM(High Bandwidth Memory) 역시 TSV 방식을 이용해서 빠른 속도와 고밀도화, 그리고 낮은 소모 전력을 구현하고 있습니다. 


 이번 고용량 서버용 DDR4 메모리 양산은 앞으로 메모리 업계가 TSV를 통해 메모리의 고용량화를 빠른 속도로 이룩할 수 있음을 보여주고 있습니다. 


 아무튼 현재 주력 SSD 용량에 해당하는 DDR4 메모리 모듈이 나왔다는 것은 그만큼 기술의 발전이 빠르다는 반증같습니다. 물론 서버용이고 일반 사용자의 경우 아직은 그정도 메모리를 사용할 일이 없다는 점은 감안해야 하겠지만, 언젠가 TB급 메모리를 갖춘 PC를 보게될 날도 올 것 같습니다. 


 참고 






댓글 없음:

댓글 쓰기