현재 반도체는 웨이퍼라는 동그란 판위에 제조됩니다. 원의 면적은 반지름의 제곱에 비례 한다는 평범한 수학 공식으로 부터 웨이퍼의 지름이 클수록 더 많은 칩 제조가 가능하다는 것을 쉽게 알 수 있습니다. 과거 많이 쓰이던 8 인치 (200 mm 급) 웨이퍼는 1.5 X 1.5 = 2.25 배 많은 면적을 지닌 300 mm 웨이퍼로 상당 부분 교체되었습니다.
이전에 수차례 전해 드린데로 인텔은 현재의 주력 웨이퍼인 300 mm 보다 2.25 배의 면적을 지닌 450 mm 웨이퍼 생산을 위해 삼성, TSMC 와 더불어 세계 최대 반도체 회사인 ASML 사의 지분을 인수하고 여기에 투자를 진행하고 있습니다. ( http://blog.naver.com/jjy0501/100166831232 참고)
또 IBM, 인텔, 삼성전자, 글로벌 파운드리, TSMC 등 굴지의 반도체 제조 업체들은 글로벌 450 컨소시엄 (Global 450 Consortium) 을 구성하고 여기에 48 억 달러를 공동 투자해 이미 상당히 개발을 진행한 상태입니다. 2013 년 1 월에는 450 mm 웨이퍼의 샘플이 공개되기도 했습니다. ( http://jjy0501.blogspot.kr/2013/01/450-mm.html 참고 )
(2013 년 1 월 인텔이 공개한 450 mm 웨이퍼 샘플, 우측에 비친 것은 사람얼굴. the first fully patterned 450mm wafer January 15 at the SEMI Industry Strategy Symposium with Intel's Mario Abravanel. Image by Intel.)
인텔은 이번주에 450 mm 웨이퍼 양산을 위한 팹 건설에 들어간다는 내용을 발표했습니다. 이에 의하면 세계 최초의 450 mm 웨이퍼 생산 시설인 D1X module 2 가 건설에 들어갔으며 2013 년에만 여기에 20 억 달러가 투입될 것이라고 합니다. 이는 인텔 대변인인 척 뮬리 (Chuck Mulloy, a spokesman for Intel) 직접 밝힌 내용입니다.
뮬리에 의하면 실제 450 mm 웨이퍼 양산이 시작되는 것은 2015 년은 되야 할 것이라고 합니다. 왜냐하면 대량 생산을 위한 장비가 모두 개발되는 시간이 필요하기 때문입니다. 지금부터 건설될 D1X 모듈 2 은 그 때쯤이면 완공되어 양산이 가능한 단계에 이를 것이라고 합니다.
D1X 모듈 2 는 D1X 팹과 맞먹는 110 만 평방피트 (10만 6100 제곱미터) 크기로 건설될 것입니다. 올해만 20 억 달러가 들어가는 이 생산 시설에는 막대한 자금 투입이 필요합니다. 업계에서는 초기에 450 mm 팹을 만드려면 80 - 100 억 달러 정도 필요할 것으로 보고 있습니다. 따라서 수년내로 450 mm 웨이퍼 양산을 시작할 수 있는 회사는 사실 강력한 자금력을 가진 소수 회사에 불과할 것입니다. 인텔을 제외한 유력한 후보는 현재 삼성 전자와 TSMC 정도입니다. 물론 건설 비용이 저렴해지면 글로벌 파운드리, SK 하이닉스도 여기에 참가할 가능성이 있습니다.
D1X 은 14 nm 공정 프로세서 양산을 위한 시설입니다. 첫 450 nm 팹인 D1X 모듈 2 역시 14 nm 나 그 이하 공정을 위한 생산 시설이라고 할 수 있습니다. 공정은 계속해서 미세화되는데 비해 웨이퍼는 점점 커지면 결국 크고 복잡한 칩을 대량으로 저렴한 가격에 양산할 수 있게 됩니다. 웨이퍼 면적이 2 배 커진다고 웨이퍼 단가가 2 배 비싸지지 않기 때문입니다. 따라서 큰 웨이퍼는 가격 경쟁력으로 직결됩니다.
수년내로 크고 아름다운 웨이퍼가 등장해서 미세화에 따라 점점 올라가는 프로세서 단가를 잡아줄지 기대됩니다.
참고
http://www.xbitlabs.com/news/other/display/20130802161405_Intel_Begins_Construction_of_the_World_s_First_450mm_Semiconductor_Manufacturing_Facility.html
댓글
댓글 쓰기