(출처: 삼성전자)
삼성전자가 512GB 용량의 UFS 낸드 플래시 메모리의 양산을 발표했습니다. 64-layer 512 Gb V-NAND를 8층 쌓아올린 것으로 표준 11.5x13mm 규격 제품입니다. 가로 세로 1cm가 조금 넘는 작은 칩 위에 이렇게 고용량을 구현한 것도 놀랍지만, 정말 놀라운 부분은 속도로 860MB/s의 순차 읽기 속도와 255 MB/s의 순차 쓰기 속도를 구현했습니다.
두 개의 full-duplex HS-Gear3 lanes이 레인당 5.8 GT/s의 데이터 전송 속도를 지원하며 UFS 2.1 규격에 맞춰 기존의 제품과 호환될 수 있습니다. 이 제품은 내년에 등장할 플래그쉽 스마트폰과 태블릿에 탑재될 수 있을 것 같습니다. IOPS는 42,000/40,000 read/write IOPS를 지원합니다. 따라서 체감 속도에서 SATA 버전의 SSD와 크게 차이가 없을 것으로 보입니다.
앞으로 더 여러 층의 3D 낸드가 가능하기 때문에 1GB 용량의 eUFS 규격 낸드 플래시 메모리 역시 가능할 것으로 보입니다. 사실 낸드 기술 진보에 비해 2.5인치 SSD 규격이나 SATA는 너무 크고 느린 HDD 시대의 유물이라 점차 그 비중이 줄어들지 않을까 생각합니다. 아마도 앞으로는 M.2/NVMe 같은 차세대 규격이 점차 대세가 될 것으로 보입니다.
하지만 3D 낸드 역시 기술적 한계는 존재합니다. 100층 이상 쌓는 것은 가능하지만, 아마도 200층 이상 쌓기는 어려울 것이라는 예측이 나오고 있습니다. 그래도 아직 기술적 여유가 있어 GB급 낸드 플래시는 가능할 것입니다. 그 이후에는 현재 개발 중인 차세대 비휘발성 메모리의 몫이 될 것입니다.
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