인텔이 최초로 fully - patterned 450 mm wafar 를 공개했습니다. 인텔은 현재 주력인 300 mm 웨이퍼보다 2.25 배 면적이 큰 450 mm 웨이퍼 개발에 집중하고 있으며 이를 위해 IBM, 삼성전자, 글로벌 파운드리, TSMC 등과 함께 글로벌 450 컨소시엄 (Global 450 Consortium) 을 구성한 상태입니다.
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(Bob Bruck (left), Intel vice president of technology manufacturing engineering (TME), unveiled the first fully patterned 450mm wafer January 15 at the SEMI Industry Strategy Symposium with Intel's Mario Abravanel. Image by Intel. )
인텔은 2012 년 TSMC, 삼성과 더불어 세계 최대 반도체 제조 업체인 ASML 사의 지분을 인수함과 동시에 추가적인 투자까지 진행하고 있습니다. ( http://blog.naver.com/jjy0501/100166831232 참고) 구체적으로 450 mm 웨이퍼 양산을 어느 공정에서 부터 시작할지는 아직 공개된 바가 없습니다. 하지만 인텔이 이미 14 nm 팹들을 건설하는 중이고 2014 년에 14 nm 공정 제품을 출시할 예정인 점을 봤을 때 다음 10 nm 공정이나 혹은 이르면 14 nm 공정에서 450 mm 웨이퍼가 등장할 수 있을 것으로 생각됩니다. 빠르면 2015 년에 450 mm 웨이퍼 양산에 대한 소식을 들을 수 있을 지 모른다고 xbit lab 은 전했습니다.
반도체를 실제 양산할 때는 동그란 실리콘 웨이퍼위에 통째로 기판을 새긴 후 하나씩 떼어내는 방식으로 이루어집니다. 따라서 웨이퍼의 지름이 커지면 그 지름에 제곱에 비래해 많은 칩을 생산할 수 있게 됩니다. 하지만 450 mm 웨이퍼 미세 공정 팹은 엄청난 비용을 필요로 할 것으로 보입니다. 100 억 달러 수준의 투자가 필요할 것으로 업계에서는 내다보고 있으며 이를 소화할 만한 반도체 회사로는 인텔, 삼성 전자, TSMC 만이 현재로써는 거론되고 있습니다.
미래 450 mm 웨이퍼가 등장하면 결국 양산 단가 및 생산 속도는 더 빨라지게 될 것이므로 반도체 상위 빅 3 의 시장 지배력은 더 커지지 않겠느냐는 예상이 나오고 있습니다. 2013 년 1 월에 인텔이 450 mm 웨이퍼를 실제로 공개하므로써 양산이 조기에 이루어질 수 도 있다는 예측도 가능해 보입니다. 물론 실제 완제품은 아니지만 말이죠.
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