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뜨거운 커피와 차가 식도암 유발한다?

  (public domain) ​ ​ 일반적으로 건강에 나쁘다는 인식과 달리 사실 커피는 전체 사망률 및 심혈관 사망률 감소와 연관이 있다고 알려져 있어 특별한 금기나 카페인에 대한 과민증이 없다면 끊을 이유는 없습니다. 이 내용은 앞서 영상에서 설명드린 바 있습니다. ​ ​ ​ 반면 건강에 좋다는 인식이 있는 차나 그렇지 않은 커피 모두 뜨겁게 마시는 경우 식도암 위험도를 높일 수 있습니다. ​ 옥스포드 대학교 인구보건학부의 카렌 파피에르 박사 (Keren Papier)와 동료들은 977,282명의 영국 성인 데이터 분석한 세계 최대 식도암 연구를 통해 뜨거운 차와 커피가 식도암에 미치는 영향을 조사했습니다. 이 연구는 두 개의 대규모 코호트 연구 (UK Biobank과 Million Women Study)를 함께 분석한 것으로 추적 기간은 평균 14.1년 (Million Women Study) 및 11.1년 (UK Biobank)이었습니다. ​ 연구팀은 영국 성인 남녀를 대상으로 뜨거운 음료 섭취 습관, 음료를 따뜻하게, 뜨겁게, 또는 아주 뜨겁게 마시는지 여부, 그리고 하루에 차와 커피를 몇 잔 마시는지에 대한 설문 조사 데이터를 분석했습니다. (차나 커피를 얼마나 뜨거운 온도로 마시는지 ("very hot", "hot", "warm" 또는 뜨거운 음료를 마시지 않음으로 구분) ​ 그리고 참가자들의 건강 데이터를 10년 이상 영국 NHS(국민건강서비스) 기록을 통해 추적했습니다. 특히 흡연, 음주, 체중과 같은 생활 습관 요인을 고려하면서 식도암의 새로운 진단 사례를 중점적으로 살펴보았습니다. ​ 연구 기간 중 1,045건의 편평상피세포암 (SCC)과 1,303건의 선암 (Adenocarcinoma)을 포함해 총 2,348명이 식도암 진단을 받았습니다. 연구 결과 커피나 차를 뜨겁게 마시는 경우는 그렇지 않은 경우보다 식도암 위험도가 2배, 아주 뜨겁게 마시는 경우는 3배까지 증가하는 것으...
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인텔 14A 공정 리스크 생산 2027년 1분기로 앞당긴다?

  ( 출처: 인텔) ​ ​ 인텔은 올해 18A-P 공정에 집중하면서 차세대 14A 공정 이전에 힘을 쏟고 있습니다. 현재 18A-P 공정은 리스크 생산에 들어간 상태이고 본래 14A 공정은 2027년 하반기 리스크 생산에 들어가 2028년 본격 양산에 들어간다는 로드맵을 지니고 있었습니다. ​ 하지만 인텔 립부 탄 CEO는 최근 언론 인터뷰를 통해 14A의 생산 시기를 1분기로 앞당길 수 있다고 언급했습니다. 실제로 가능하다면 14A의 대량 생산은 2027년 이내로 시작될 수 있을 것으로 기대됐지만, wccftech는 인텔의 정식 문의를 통해 2027년 하반기 시험 생산 -> 2028년 대량 생산 일정을 그대로 유지한다는 답변을 받았습니다. 따라서 2028년 1분기부터 대량 생산을 계획하고 있는 것으로 보입니다. ​ 하지만 이것 역시 느린 게 아니라 빠른 편입니다. 14A 노드는 2026년 6월에 결함 밀도(D0) 0.5를 달성했으며, 인텔은 2027년 1분기까지 D0를 0.1~0.2로 낮추는 것을 목표로 하고 있습니다. D0 또는 결함 밀도는 실리콘 웨이퍼의 단위 면적당 검출되는 미세한 결함의 평균 개수를 나타냅니다. 특정 칩 제조 공정이 상용화에 가까워질수록 결함 밀도는 일반적으로 크게 감소하며, 이에 따라 수율이 증가합니다. 인텔의 데이비드 진스너는 최근 14A 공정의 개선 속도가 2012년 22nm 시대 이후 가장 빠른 속도라고 언급했습니다 . ​ 인텔의 14A는 Ribbon FET 2 트랜지스터/ 2세대 Gate-All-Around(GAA) 아키텍처를 적용하고 PowerDirect 후면 전력 공급 시스템을 통해 전기 저항을 낮추고 밀도를 높입니다. 그리고 아마 14A에서도 18A-P에서 도입한 파워부스트를 역시 사용할 것으로 보입니다. ​ 이전 포스트: https://blog.naver.com/jjy0501/224319132905 ​ 다만 2027년에 14A 공정에 진입하더라도 초기 생산량은 많지 않을 것으로 예상됩니다. GF...

HBM 메모리 위에 올리면 발열은 어떻게? 삼성 zHBM의 비책은 이것?

  ​ HBM 메모리를 XPU 위에 올리는 삼성의 zHBM은 HBM 메모리에서 발열과 속도의 병목 구간인 실리콘 인터포저를 없애는 획기적인 방법으로 생각되고 있습니다. 다만 그렇지 않아도 많은 열이 발생해 해결이 쉽지 않은 GPU 위에 메모리를 올리면 발열을 어떻게 제어할 수 있는지가 궁금증으로 떠오릅니다. 오늘 영상은 이에 대한 간략한 잡설입니다.

512GB 9200MT/s 서버 메모리를 공개한 마이크론

  (사진은 MRDIMM. 출처: 마이크론) ​ 마이크론이 MRDIMM 아닌 RDIMM 제품 가운데 최고 용량과 속도를 지닌 서버용 메모리 모듈을 공개했습니다. 최대 512GB의 DRAM 용량과 최대 9200 MT/s의 속도를 지닌 제품으로 RDIMM에서 가장 고밀도, 고성능 제품입니다. ​ 간단히 설명을 드리면 현재 서버 업계는 DDR5 플랫폼에서 DDR6 속도를 구현할 수 있는 MRDIMM 메모리를 도입하고 있습니다. 인텔은 이미 제온 6에서 도입했고 현재 AMD는 에픽 6세대부터 도입할 예정입니다. 이는 앞서 영상에서 소개한 바 있습니다. ​ ​ ​ ​ 그런데 마이크론은 D램을 적층해 TSV로 연결하는 방식으로 메모리 용량을 늘리고 속도를 높여 1세대 MRDIMM 메모리의 8800MT/s보다 빠른 9200MT/s의 속도를 구현했습니다. 따라서 에픽 5세대 튜린 제품을 사용해도 속도와 용량을 충분히 확보할 수 있습니다. 이 제품을 2소켓 24채널 DDR5 DIMM 모두 장착하면 12TB 용량을 확보할 수 있습니다. ​ 참고로 9200MT/s의 속도를 최대 12 채널에서 확보하기 위해 클럭 드라이버를 지니고 있는데 소비자용 CKD보다 고성능 제품인 RCD를 사용합니다. 따라서 소비자용 CUDIMM 메모리보다 더 빠른 속도를 제공합니다. CUDIMM에 대해서도 이전 영상을 참조해 주십시요. ​ ​ 아무튼 서버 부분에서 이렇게 고용량의 메모리를 사용하면 소비자 메모리 수급은 더 어렵지 않나 하는 생각도 드는 제품입니다. ​ ​ 참고 ​ ​ https://wccftech.com/micron-crams-512-gb-memory-into-single-ddr5-stick-next-gen-intel-amd-servers/ ​