(출처: 인텔)
인텔이 인텔 4 공정 (과거 인텔 7nm EUV)에 대한 더 상세한 정보를 공개했습니다. 인텔 4 공정은 2023년 출시 예정인 메테오 레이크 (14세대 코어 프로세서)에 적용될 예정으로 로드맵 상 올해 말부터 시험 생산에 들어가 내년에 본격 양산에 들어가야 합니다. 따라서 지금 정도면 작동하는 프로토타입이 있어야 정상입니다. 최근 인텔은 메테오 레이크의 칩 타일을 공개하기도 했습니다.
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(인텔 4와 인텔 7 공정 비교. 출처: 아난드텍)
인텔이 추가로 공개한 내용을 정리하면 게이트 핀 피치는 34nm에서 30nm로 최소 메탈 피치는 40nm에서 30nm로 게이트 폴리 피치는 60nm에서 50nm로 모두 낮아졌으며 면적은 49%에 불과할 정도로 낮아져 밀도가 두 배로 높아졌습니다. 실제 트랜지스터 집적도는 아키텍처에 따라 달라지기 때문에 반드시 전 세대 대비 2배라곤 할 수 없지만, 상당히 높아질 가능성이 있는 셈입니다. 사실 그래야 TSMC의 5nm에 대응할 수 있기도 합니다.
인텔 4 공정은 인텔 7 공정 대비 와트 당 성능비가 20% 정도 향상된다고 소개하고 있습니다. 다만 여러 가지 칩 타일을 엮은 메테오 레이크의 발열량은 생각보다 작지 않을 가능성이 있습니다. 최근 칩렛 방식으로 과거보다 더 큰 칩을 만드는 경향이 생기면서 전력 소모량도 따라서 커지는데 이에 대한 대책도 필요할 것 같습니다.
아무튼 내년에 나올 메테오 레이크는 여러 가지 이유에서 실제 성능과 코어 숫자가 궁금해집니다. 일단 밀도가 높아지는 만큼 16개보다 더 많은 코어를 집적할 수 있을 것 같은데, 어디까지 넣어줄지 궁금합니다.
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