(HBM의 구조. 출처: AMD)
기존의 DRAM의 한계를 극복하기 위해서 메모리 제조사들은 새로운 방식의 적층 기술인 HBM(High Bandwidth Memory)를 도입하고 있습니다. 이 기술은 TSV 방식으로 메모리 층을 여러개 쌓아 올리고 아래에는 로직 층을 더해 속도와 저장 밀도를 크게 올리는 방법입니다. 자세한 내용은 이전 포스트를 참조해 주시기 바랍니다.
이 기술은 AMD와 SK 하이닉스가 손잡고 먼저 개발했기 때문에 일단 현 시점에서는 SK 하이닉스만 양산을 하고 있습니다. 초기 양산일 뿐 아니라 아직은 제조사가 하나 뿐이라 가격이 비쌀 수밖에 없는 구조입니다. 그런데 업계 1위인 삼성전자가 내년에 본격 양산에 들어갈 것이라는 루머가 있습니다.
이 루머에 의하면 2016년 1분기가 가장 유력한 시점으로 이미 삼성전자는 관련 기술을 상당히 축적한 상태라고 합니다. 적층 메모리 기술에 있어서는 이미 V 낸드나 다른 관련 제품, 그리고 지금까지의 연구를 통해서 충분히 축적한 상태이기 때문에 사실 빠르다기 보다는 오히려 천천히 시점을 조절하는 느낌입니다. 아마도 이것은 초기에는 HBM의 수요가 높지 않은 것과 관련이 있어 보입니다.
소식을 전한 wccftech에 의하면 삼성의 초기 HBM 모델은 8Gb 싱글 모듈로 구성되어 있으며
- 보급형 그래픽 카드 모델을 위한 2-Hi DRAM 2 GB HBM (256 GB/s) 제품
- 중급형 그래픽 카드 모델을 위한 2-Hi DRAM 4 GB HBM (512 GB/s) 제품
- 고급형 그래픽 카드 모델을 위한 4-Hi DRAM 8 GB VRAM (512 GB/s) 혹은 16 GB VRAM models (1 TB/s).
모델로 나눌 수 있다고 합니다. 그리고 궁극적으로는 1.5 TB/s와 48GB이 메모리 지원도 가능할 수 있습니다. 이중 고급형 모델은 시기적으로 엔비디아의 파스칼 GPU가 나오는 시점과 유사하기 때문에 어쩌면 SK 하이닉스외 삼성의 HBM이 탑재될 가능성도 있습니다.
아직은 루머에 불과하지만, 삼성전자가 차세대 초고속 메모리 사업에 뛰어들지 않는다면 오히려 더 이상한 일일 것입니다. 문제는 시점과 성능이 어느 정도이냐겠죠. 분명한 점은 삼성전자까지 양산에 들어선다면 HBM의 가격이 하락하면서 널리 보급될 수 있다는 것입니다.
과연 미래에는 DDR4 같은 시스템 메모리도 이런 고속 메모리가 대체할 수 있을지 궁금합니다. 아무튼 루머가 사실이라면 2016년에는 HBM을 사용한 그래픽 카드가 보급될 수 있을 것으로 생각됩니다.
참고
http://wccftech.com/samsung-enters-hbm-market-1h-2016-hpc-gpu-ready-hbm-15-tbs-bandwidth-48-gb-vram/
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