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2018년 5월 25일 금요일

파운드리 로드맵을 업데이트 한 삼성 전자




​ 삼성전자가 자사의 파운드리 로드맵을 업데이트 했습니다. EUV를 사용한 7LPP는 예정대로 진행하고 5/6LPP는 로드맵에서 삭제했습니다. 물론 차세대 공정을 더 빠르게 도입하기 위한 것입니다. 일단 삼성 전자는 올해 하반기에 EUV 리소그래피 장치를 사용한 7LPP 공정의 양산에 들어가 내년 초에는 실제 제품을 내놓을 계획입니다. 이 공정은 ASML Twinscan NXE 장비를 이용한 것으로 흥미롭게도 처음에는 외부에 공개하는 대신 삼성전자 내부 제품을 위해 사용할 것입니다.


 물론 가장 유력한 해석은 차기 엑시노스 SoC에 이 공정을 독점적으로 활용한다는 것입니다. 이는 내년 등장할 갤럭시 플래그쉽 스마트폰에 탑재될 것입니다. 솔직히 다른 가능성은 생각하기 어려울 것 같습니다. 경쟁이 치열한 스마트폰 시장에서 프리미엄 제품의 입지를 다지기 위해서는 다른 선택의 여지가 없겠죠.

Samsung Foundry Lithography Roadmap, HVM Start
Data announced by company during conference calls, press briefings and in press releases
2017201820192020202120222022+
1H2H1H2H1H2H1H2H
10LPE10LPP7LPP**
8LPP
10LPU*
7LPP5LPE**5LPE4LPE*4LPP*3GAAE*
3GAAP*
*Exact timing not announced
**May be available only to Samsung LSI
 (삼성 파운드리 로드맵. 출처: 아난드텍)


 2019년 하반기에는 로드맵에서 사라진 5/6LPP을 대신해 5LPE (5 nm low power early)이 개발됩니다. 이 역시 처음에는 파운드리 형태로 공개되기 보다 삼성 내부 제품을 위해 먼저 사용할 계획입니다. 물론 차차기 엑시노스 프로세서가 가장 가능성이 높은 대상일 것입니다.


 2020-2022년 사이에는 4LPE/4LPP 공정이 도입될 계획입니다. 4PLE 공정은 검증된 FinFETs 기술을 사용해 개발되고 4LPP 공정은 gate-all-round FETs (GAAFETs) 기술을 이용해서 개발됩니다. 이는 FinFETs 기술을 확장해 360도 전체를 게이트로 사용하는 기술입니다. 2022년 이후에는 이를 이용해 3GAAE/GAAP (3nm gate-all-around early/plus) 공정을 선보일 예정입니다. 다만 상당히 미래의 일이라 이 공정들은 다소 유동적일 것으로 생각됩니다.


 TSMC와 삼성이 공격적인 파운드리 로드맵을 공개한 가운데 인텔의 침묵이 이어지고 있다는 점은 과거를 생각하면 매우 의외의 상황인 것 같습니다. 이대로 로드맵이 진행되면 반도체 업계의 주요 기업 가운데 인텔이 오히려 뒤쳐지는 상황이 발생할 수 있습니다. 당장에야 x86 시장에서 입지가 흔들리지는 않겠지만, 삼성이 이렇게 로드맵을 업데이트 한다는 이야기는 동맹 관계인 글로벌 파운드리 역시 따라 온다는 이야기고 이는 다시 말해 AMD의 CPU의 공정 미세화 역시 진행될 것이라는 이야기입니다. 과연 2-3년 후에는 어떻게 될지 궁금합니다.


 참고





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