(출처: 인텔)
인텔과 마이크론이 기존의 낸드 플래쉬 대비 최고 1000배의 속도와 내구성, 그리고 10배의 기록 밀도를 지닌 새로운 비휘발성 메모리 기술을 개발했다고 발표했습니다. 이들의 주장에 의하면 이는 낸드 플래쉬가 1989년 도입된 후 가장 큰 변화가 될 것이라고 합니다.
이들이 내놓은 3D XPoint 기술(3D XPoint™ technology, a non-volatile memory)은 적층형 3D crosshatch 를 이용해서 각 셀에 접근해서 기록을 쓰거나 읽을 수 있다는 점이 이전 낸드 플래쉬와 큰 차이입니다. 낸드 플래쉬는 각 셀에 기록을 저장하는데, 문제는 하나의 셀만 기록을 저장할 수 없다는 것입니다. 하나만 기록하려고 해도 전체 블록을 다시 써야 하는 것이 큰 문제였다고 하네요.
3D XPoint는 이 한계를 극복해 기록해 속도를 크게 끌어올렸을 뿐 아니라 내구성과 기록 밀도까지 끌어올렸다고 합니다. 인텔의 설명에 의하면 3D XPoint(크로스포인트라고 부르는 것 같음) 기술은 위의 개념도에서 보는 것처럼 여러 개의 메모리 셀이 워드 라인과 비트 라인에 교차점에 놓은 크로스 (십자가) 모양을 하고 있습니다. 이 고밀도 패킹 메모리 셀은 다시 수직 전도체로 연결되어 셀당 1 비트를 저장하는 구조입니다.
이 구조의 장점은 하나의 셀만 읽고 쓰기가 가능할 뿐 아니라 트랜지스터의 필요성을 아예 없애 속도가 크게 증가한데 있습니다. 인텔의 주장에 의하면 이는 현존하는 어떤 비휘발성 메모리보다 빠른 상태 전환이 가능하다고 하네요.
더구나 개념도에서 보듯이 아주 쉽게 적층해서 쌓아올릴 수 있기 때문에 간단하게 고밀도화를 이룩할 수 있다고 합니다. 현재 기술로도 2개의 메모리 레이어에 다이(die)당 128Gb를 저정할 수 있으며 앞으로 더 많은 메모리 층을 적층하는 방식으로 쉽게 용량 확장이 가능하다고 합니다.
아무튼 이 내용이 모두 사실이라면 크게 기대가 되는 것이 사실입니다. 낸드 플래쉬 기술은 이제 점점 한계에 도달하고 있기 때문입니다. 연말쯤에는 샘플 출하가 가능할 것이라고 하는데, 가까운 시일내로 양산이 가능할지 궁금하네요.
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