삼성 전자가 플래시 메모리 서밋에 자사의 기술 개발 현황 및 로드맵에 대한 정보를 공개했습니다. 여기서 주목을 끄는 부분은 한 개의 다이로 1Tb 용량을 구현했다는 5세대 96층 QLC 낸드입니다. QLC 낸드 플래시는 아직 대중화되진 않았지만, 도시바 뿐 아니라 삼성 역시 이를 양산할 준비를 서두르면서 QLC 낸드의 시대가 열릴 가능성도 있어 보입니다.
아무튼 다이 당 1Tb라면 이를 8/16개 쌓아올리면 2/4TB 낸드 플래시 칩을 만들 수 있어 대용량 SSD는 물론 스마트 기기 등에 활용이 가능합니다.
도시바의 1TB 3D TSV 낸드 플래시 : http://blog.naver.com/jjy0501/221053833802
동시에 삼성전자는 4세대 64층 256/512Gb V 낸드의 양산 역시 공개했습니다. 이 TLC 낸드는 놀랍게도 7000에서 20000 program/erase 사이클을 지닌다고 합니다. 사실이라면 읽기/쓰기 수명 문제는 걱정할 필요가 없을 수준입니다.
하지만 이번 플래시 메모리 서밋에서 가장 주목을 끈 내용은 역시 Z-NAND에 대한 이야기일 것입니다. Z-NAND는 인텔의 3D Xpoint 등 차세대 비휘발성 메모리에 대응하기 위해 낸드 플래시 기술을 기반으로 제작된 새로운 낸드 플래시로 올해 첫 시제품을 들고 나왔습니다.
Z-SSD SZ985라는 이 새로운 SSD는 읽기 레이턴시가 15µs에 불과해 가장 빠른 TLC 기반 기업용 SSD에 비해 5.5배나 빠른 편입니다. 물론 메모리를 대체할 수준은 아니지만, 경쟁관계에 있는 인텔의 옵테인 SSD와 경쟁할 수 있게 된 것입니다. 비록 속도는 옵테인이 더 빠르긴 하지만 가격이 비싸기 때문에 용량대 가격비로 승부를 보면 당분간 경쟁이 가능할 수 있습니다.
인텔 옵테인 SSD: http://blog.naver.com/jjy0501/220988513212
물론 기본적으로 낸드 플래시는 기술 자체가 오래되었을 뿐 아니라 공정 미세화에 따른 수명 감소와 느린 속도 등의 문제가 있어 차세대 비휘발성 메모리로는 적당하지 않습니다. 따라서 현재 삼성 역시 상변이 메모리를 비롯한 차세대 비휘발성 메모리 개발에 집중하고 있을 것입니다. Z 낸드는 그 중간 단계를 채워줄 역할을 하게 될 것입니다. 기존의 생산 시설을 이용해서 만드는 만큼 아마도 가격 면에서는 옵테인보다 경쟁력이 있을 것 같은데 과연 얼마에 나올지도 궁금합니다.
참고
Z-NAND 레이턴시는 SLC의 경우 3마이크로초, MLC의 경우 5마이크로초 정도라고 알고있습니다.
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