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2021년에 3nm Gate-All-Around field-effect transistors (GAAFET) 공정 양산을 계획하는 삼성 전자



(Source: IBM)


(Source: unknown)


 삼성 전자가 2021년에 3nm Gate-All-Around field-effect transistors (GAAFET) 공정 양산에 들어갈 것이라고 탐스하드웨어 등 해외 IT 전문 웹사이트들이 보도했습니다. GAAFET은 글자 그대로 전자가 흐를 공간을 3차원 정도가 아니라 360도로 만들어 FinFET보다 더 작은 공간에서도 전자가 지날 공간을 확보하는 기술로 과거부터 FinFET 다음 미세 공정 기술로 연구되어 왔습니다. (사진 참조)


 다만 2021년이면 지금부터 2년 밖에 남지 않았는데, 그 때까지 양상에 들어갈 수 있을지는 역시 두고봐야 알 수 있을 것 같습니다. 물론 워낙 반도체 분야에서는 양산 능력과 기술에서 따라갈 회사가 없을 정도이기 때문에 가능하다고 해도 놀라운 일은 아닐 것입니다. 특히 파운드리 부분에서 경쟁자인 TSMC를 누르기 위해서는 GAAFET의 조기 도입이 필요할 것으로 보입니다. 


 아무튼 3nm 공정까지 도달하면 이후로는 더 반도체를 미세하게 만들 기술이 과연 뭐가 있을지 궁금해지는 소식입니다. 거의 이 정도면 현재 반도체 제조 기술로는 물리적 한계에 도달했다고 봐도 무방할 것입니다. 원자 몇 개 두께까지 회로를 좁힌 후에는 도대체 어떻게 더 작은 회로를 만들 수 있을지 의문인 것입니다. 


 아마도 양자 컴퓨터처럼 완전히 다른 형태의 컴퓨터가 대안이 될 수 있을지 모르지만, 널리 상용화되기까지는 시간이 좀 거릴 것 같습니다. (여담이지만, IBM에서 새로 내놓은 양자 컴퓨터에 대해서 좀 더 알아보고 포스팅 하겠습니다)


 참고 



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