64층 4세대 V 낸드를 공개한 삼성전자

(출처: 삼성전자 )

 삼성전자가 4세대 V낸드를 이용한 신제품을 공개하고 올해 4분기에 본격적으로 출시할 것이라고 발표했습니다. 4세대 V낸드는 이전 48층 V낸드 대비 늘어난 64층 V 낸드로 512Gb 의 밀도를 가진 제품을 만들 수 있습니다. 최고 데이터 전송 속도도 800Mbps로 높아 고용량, 고속 낸드 플래쉬 제품을 만들 수 있다고 합니다. 

 이를 이용한 솔루션 가운데 하나는 32TB SAS SSD로 이미 2.5인치 기반 16TB SSD를 출시한데 이어 용량이 두 배에 달하는 고용량 SSD를 출시할 수 있게 된 셈입니다. 삼성전자의 계획은 2020년까지 100TB SSD를 출시하는 것인데, 기술 발전 속도를 감안하면 가능한 목표라고 생각됩니다. 물론 아직 가격대 용량에서는 이점이 있지만, 앞으로 획기적인 기술이 개발되지 않는한 HDD가 SSD의 용량을 따라잡기는 어려울 것 같습니다.  

 내년에 출시할 1TB BGA NVMe SSD는 1센트 동전 크기의 SSD로 바로 기판에 붙어 나오는 형식입니다. 읽기와 쓰기 속도는 1500MB/s와 900MB/s로 NVMe 방식답게 매우 빠른 속도를 자랑합니다. 소형 모바일 기기를 위한 솔루션이라고 할 수 있습니다. 

 하이엔드 Z-SSD는 PCIe 카드 형식의 SSD로 응답시간은 4배이상, 읽기 속도는 1.6배 이상 빠른 제품이라고 합니다. 구체적인 스펙은 나와봐야 알겠지만, 더 빠른 낸드 플래쉬를 쓰는만큼 속도도 더 빠를 것으로 예상됩니다. 

 현재 데이터의 크기가 커지면서 점차 속도가 중요한 이슈가 되고 있는 점을 감안할 때 이와 같은 고용량 고속 SSD의 필요성은 앞으로 더 커질 것 같습니다. 

 사실 빅데이터 시대에는 스토리지 용량 뿐 아니라 속도도 중요합니다. 이 부분에서 SSD가 큰 이점이 있으므로 가격 경쟁 수준이 HDD와 비슷한 수준으로 떨어진다면 HDD의 입지는 크게 흔들릴 수밖에 없습니다. 5년, 10년 후에도 과연 HDD가 널리 사용될 수 있을지 궁금해지는 소식이었습니다. 

 참고 

https://news.samsung.com/kr/%EC%82%BC%EC%84%B1%EC%A0%84%EC%9E%90-%EC%B0%A8%EC%84%B8%EB%8C%80-v%EB%82%B8%EB%93%9C-%EC%86%94%EB%A3%A8%EC%85%98-%EA%B3%B5%EA%B0%9C