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DDR5, HMC, HBM3 관련 소식





(출처: 삼성/SK 하이닉스) 


 핫 칩 (hotchip) 컨퍼런스에서 차세대 메모리에 대한 여러 가지 이야기들이 나왔습니다. 첫 번째는 삼성 전자가 소개한 저렴한 HBM 이야기입니다. HBM는 이미 2세대까지 진행했고 이를 사용한 제품도 실제로 등장했지만, 매우 제한된 영역에서만 사용되고 있습니다. 아직까지 제조 단가가 워낙 비싸다보니 실제로 널리 사용되는 메모리가 되기는 어려운 것이죠.


 삼성 전자는 버퍼 다이 등을 제거한 저가염 HBM의 계획을 발표했습니다. HBM2보다 속도는 다소 느리지만 최대 200GB/s의 속도로 기존의 메모리는 물론 1세대 HBM보다 빠르면서 저렴하게 대량 양산이 가능한 형태의 메모리를 생산하겠다는 것입니다. 대폭적으로 제조 단가를 낮춰 GDDR5X를 대체할 새로운 메모리 생산이 가능할지 주목됩니다. 


 SK 하이닉스는 HBM3의 개발을 언급했는데, 아직 구체적인 일정이나 스펙의 발표는 없지만, 머지 않은 시일 내로 구체적인 스펙과 일정이 발표될 것으로 보입니다. 더 빠른 메모리에 대한 수요는 항상 존재하기 때문에 고속 메모리를 개발하기 위한 노력 역시 계속될 것입니다. 








 
(출처: 마이크론) 


 마이크론의 발표에서 주목할 내용은 2018년에 DDR5의 샘플이 나오고 2019년에 양산에 들어갈 것이라는 이야기입니다. 최근 인텔 역시 DDR5로의 세대 교체를 2020년까지로 언급했기 때문에 이제 주력 메모리가 된 DDR4는 2020년 쯤 DDR5로 교체될 것으로 보입니다. 


 한편 마이크론은 인텔과 손잡고 HBM과 비슷한 개념의 적층형 고속 메모리인 HMC를 개발 중에 있습니다. 이미 시장에 실물이 풀린 HBM에 비해 시기적으로 다소 늦었지만, 마이크론 측은 HMC이 여러 가지 장점을 가지고 있다고 홍보하고 있습니다. 사실인지 여부는 역시 실제로 시장에 나와봐야 평가가 가능할 것입니다. 


 여러 반도체 회사들이 차세대 메모리를 개발하고 있는 만큼 지금 우리가 친숙하게 사용하고 있는 메모리 역시 몇 년 후에는 그 모습이 달라질 것입니다. 이전과 마찬가지로 우리는 미래에 더 빠르고 용량이 큰 메모리를 사용하게 될 것입니다. 



 참고 


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