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3 bit 3 차원 V 낸드 양산에 들어간 삼성 전자

 

 삼성 전자가 자체 블로그를 통해서 3 차원 V 낸드 기술에 3 비트 셀을 적용한 제품을 세계 최초로 (물론 3 차원 V 낸드 자체가 삼성에서만 양산하지만) 양산하기 시작했다고 발표했습니다. 삼성 전자가 양산하는 제품은 이전에 발표한 32 층 2 세대 V 낸드에 3 bit Multi Level Cell (즉 Triple Level Cell, TCL) 를 적용한 것으로 셀당 기록 밀도를 2 개에서 3 개로 늘린 것입니다. 따라서 저장 용량은 1.5 배 늘어났으며 10 nm 급 기술의 도입으로 생산성은 2 배 정도 향상되었다고 합니다. 양산 제품은 128 gigabit 급이라고 합니다.  



(3비트 3차원 V 낸드 플래시.  Credit : 삼성 전자 ) 




 삼성 전자는 2 세대 3D V 낸드 양산 소식을 발표한지 얼마안되어 이 V 낸드를 이용한 10 년 보증 (!) 기간의 850 Pro SSD 시리즈를 공개했습니다. 고성능과 긴 수명이라는 두마리 토끼를 잡은 850 Pro 지만 MLC 기반의 3 차원 SSD 로 가격이 높아 고성능과 장기간의 수명을 요구하는 유저들만을 타겟으로 삼았다는 단점이 존재했습니다. 


 이번에 나온 새 V 낸드는 3 차원 CTF (3D charge Trap Flash, 셀안에 전하를 저장하는 공간인 플로팅 게이트를 부도체로 대체하고 구조를 3 차원으로 개량해 수직 적층을 용이하게 하는 기술) 과 3 비트 셀을 동시에 적용해 기록 밀도와 단가를 크게 낮춰 앞으로 SSD 치킨 게임에서 매우 유리한 고지에 설수 있도록 해줄 것으로 예상됩니다. 물론 유저들은 매우 저렴한 가격에 대용량 낸드플래쉬 메모리 제품을 구할 수 있게 될 것입니다. 


 낸드 플래쉬와 SSD 에서 모두 업계 1 위인 삼성 전자는 HDD 를 SSD 로 교체하는데 앞장서겠다고 다짐해 왔고 최근 점차로 이 말을 현실로 옮기고 있습니다. 향후에는 TB 급 SSD 가 대중화 될 것으로 예상해도 될 것 같습니다. 


 그나저나 2013 년 8월에 1 세대 (24 층) 3 차원 낸드 플래쉬 양산에 들어갔다고 했을 때만 해도 대중화에는 시간이 걸리겠지 생각했는데 2014 년 5월에 2 세대 (32층) 3차원 낸드 플래쉬를 내놓고 이제 (10월) MLC 뿐 아니라 TLC 제품까지 라인을 확장한 걸 보면 낸드 플래쉬 개발 능력은 타의 추종을 불허하는 것 같네요. 


 참고 

   
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