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차세대 EUV 리소그래피 장치를 개발 중인 ASML



(Photo-illustration: ASML)
 

 세계 최대의 반도체 리소그래피 제조 업체인 ASML이 차세대 EUV 리소그래피 장치를 개발한다는 소식입니다. ASML은 올해 초 몇몇 고객들에게 13.5nm 파장의 EUV 리소그래피 장치를 판매했으며 (아마도 삼성전자, 인텔, TSMC) 반도체 제조사들은 이 장치를 이용한 미세 공정의 양산에 들어갔거나 들어갈 준비를 하고 있습니다. 하지만 더 많은 웨이퍼를 제조하고 더 미세 공정으로 진행하기 위해 ASML은 후속 모델을 준비하고 있습니다. 




 새로 개발중인 5000 시리즈는 이전에 선적한 3400 시리즈 대비 여러 가지 면에서 개선된 리소그래피 장치로 더 강력한 출력의 레이저를 이용해 미세 회로를 만들 수 있다고 합니다. ASML에 따르면 195W 출력에서는 시간당 125개의 웨이퍼를 생산할 수 있고 246W에선 140개를 생산할 수 있다고 합니다. 새 리소그래피 장치는 이보다 강력한 출력으로 웨이퍼 생산 능력을 더 높을 것입니다. 동시에 3400 시리즈의 최신 버전인 3400C에서는 시간당 170개의 웨이퍼 생산이 가능할 것이라고 하네요. 




(동영상) 


 ASML은 새로 개발 중인 13.5nm 빔의 성능을 시연해 보였는데, 미세한 액체 방울을 공중에서 팬케이크 모양으로 만든 후 다시 흩어지게 만드는 것입니다. 불과 3밀리초에 일어난 일입니다. ASML에 따르면 13.5nm 빔은 초당 5만 회 이상 액체 방울을 처리할 수 있다고 합니다. 이런 정밀도로 웨이퍼 표면에 미세한 패턴을 새기게 됩니다. 


 EUV 리소그래피 장치의 도움으로 머지 않은 미래에 우리는 5nm나 그 이하 미세 공정 프로세서를 볼 수 있을 것입니다. 하지만 과연 EUV 리소그래피 다음은 어떻게 될지 궁금합니다. 기존의 공정을 미세화하는 정도가 아니라 아예 새로운 방법을 만들어야 하지 않을까 생각됩니다.


 참고 




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