아직 14nm FinFET 공정이 보급이 되는 중이지만, 빠르면 2016년 하반기에 삼성 전자의 10nm 공정의 양산이 시작될 지 모른다고 eetimes 가 보도했습니다. 이미 올해 초 열렸던 국제고체회로소자회의(ISSCC) 2015 에서 삼성 전자와 인텔은 10nm 공정에 대해서 언급한 바 있습니다. ( http://blog.naver.com/jjy0501/220282812353 참조 )
eetimes는 최근 샌프란시스코에 있었던 이벤트에서 삼성 전자가 2016년 말(end of 2016)까지 10nm 프로세스가 완전 양산 단계에 이를 것으로 예상한다고 언급했다고 합니다. 물론 예상이긴 하지만 실제로 가능성이 높다고 볼 수 있는 게 14nm FinFET 공정과 거의 2년 간격이 되기 때문이죠. 여기에 ISSCC 2015에서는 실제 10nm 웨이퍼를 공개한 적도 있습니다. 양산이 가까운 것은 사실로 생각됩니다.
10nm 공정이라고 해도 이전 14nm 공정처럼 실제 회로에서 10nm 인 부분이 있다는 의미는 아니겠지만, 14nm FinFET 대비 더 미세화를 이룩할 것은 분명해 보입니다. 이 공정의 가능성 있는 고객으로는 삼성 스스로를 제외하고 애플이 유력하게 거론되고 있습니다.
애플은 차기 AP를 TSMC와 삼성에 생산을 위탁할 가능성이 높으며 그 다음 AP 양산을 위해서 삼성의 10nm 공정을 사용하려 할 가능성이 높다고 eetimes 는 보도했습니다. 물론 여기에 대해서 애플은 물론 삼성 전자도 부인도 긍정도 하지 않은 상태지만, 상황상 그렇게 될 가능성이 높아 보입니다. TSMC의 10nm 공정이 과연 제 시기에 양산이 가능할지 현재로써는 불투명해 보이기 때문입니다.
한 소식통에 의하면 애플은 월 4만장의 웨이퍼를 주문해 삼성 반도체의 최대 고객이 될 가능성이 높으며 퀄컴은 두 번째가 될 것이라고 합니다. (물론 내부 고객인 삼성 엑시노스를 제외하고) 만약 이렇게 되면 TSMC는 10nm 공정에서 상당히 입지가 좁아지기 때문에 불꽃튀는 경쟁이 예상됩니다. 오랜 세월 미세 공정 파운드리를 독점한 TSMC가 그 지위를 유지할 수 있을지도 앞으로 수년간 주요 관전 포인트입니다.
앞서 wccftech는 삼성 전자의 10nm FinFET 양산이 캘리포니아의 팹에 서 먼저 시작될 것이라고 언급한 바 있습니다. 이 공정은 인텔의 10nm 공정과 시기를 두고 경쟁하게 될 것인데, (물론 노리는 시장이 달라서 직접 경쟁이라고 하기는 어렵지만) 어느 쪽도 2016년 이내에 시장에서 보기는 어려울 것이라는 전망이 우세합니다.
본래 인텔의 10nm 공정 캐논레이크는 2016년 하반기 등장하는게 순서가 맞습니다. 하지만 연기 가능성이 높다는 루머들이 등장하고 있습니다. 인텔이 2016년에 삼성이나 TSMC 보다 먼저 10nm 프로세서를 내놓을지 아니면 결국 다른 회사와 같은 시점에 제품을 내놓게 될지는 아직 알 수 없습니다. 이것 역시 또 하나의 관전 포인트죠.
아무튼 이정도까지 경쟁사들이 따라잡았다는 것은 인텔의 지위가 위태로워지지는 않더라도 독주가 흔들린다는 징후로 보입니다. 물론 이편이 소비자에게는 더 유리할 수도 있는 일이죠.
여러 가지 소식들을 종합하면 늦어도 2017년에는 10nm 공정 프로세서들이 등장할 것입니다. 10nm 이하는 사실상 미세 공정의 극한에 도전하는 것인데, 앞으로 수년 내로 여기에 도달할 것으로 보입니다. 과연 nm 의 벽을 깨는 순간도 오게 될지 궁금합니다.
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