CXMT는 최근 IPO와 1/2 분기 전년 동기 대비 7배에 달하는 기록적인 매출 덕분에 많은 수익을 내면서 허페이와 베이징, 상하이의 3개 클러스터에 팹을 공격적으로 증설하고 있습니다. 올해 말 일반 D램 양산 능력은 웨이퍼 기준 월 30만장 정도이며 여기에 HBM2E/HBM3 기준 5만장을 목표로 개발 중에 있는 것으로 알려져 있습니다. CXMT의 올해 초 현황에 대해서는 앞서 영상에서 소개한 바 있습니다.
CXMT는 현재 D 트랜지스터에 고유전율 금속 게이트(HKMG, High-k Metal Gate) 기술을 사용하고 있습니다.
반도체 회로가 나노미터 크기로 축소됨에 따라 표준 이산화규소(SiO₂) 절연층은 일반적으로 효과를 잃어 너무 얇아져 양자 터널링을 통해 전류가 직접 누출되기 시작합니다.
이러한 공정 소형화 제약을 극복하기 위해 CXMT는 기존 의 실리콘 기반 절연체를 하프늄 산화물(HfO₂)과 같은 소재로 대체하는 고유전율 금속 게이트(HKMG) 기술을 사용하고 있는 것으로 보입니다. 여기서 "k"는 유전 상수, 즉 재료의 전기 절연 능력을 나타냅니다. 하프늄은 이산화규소보다 훨씬 높은 "k" 값을 가지므로, 동일한 전압에서 더 많은 전하를 저장할 수 있어 D램 공정의 소형화가 가능합니다. HKMG 기술은 전류 누설과 그로 인한 열 에너지 낭비를 줄일 뿐만 아니라 전력 효율을 향상시키고 트랜지스터가 훨씬 빠르게 상태를 전환할 수 있도록 돕습니다.
CXMT는 현재 이 기술을 1z 노드로 널리 알려진 G4 제조 공정에 도입한 상태로 LPDDR5x 및 DDR5 제품을 양산하는데 사용하고 있습니다. 18nm G3 DRAM 공정을 사용하여 3세대 HBM인 HBM2E의 시범 생산 단계에 있는 것으로 알려졌습니다. 또한 G4 공정을 사용한 HBM3 샘플링도 진행 중입니다.
15nm 공정급인 G5 (다른 제조사의 1a) 공정의 샘플링에 들어간 CXMT는 LPDDR6 초기 생산에 성공한 것으로 알려져 있으며 현재 DDR6 양산을 위해 준비 중에 있습니다. CXMT는 현재 증설 중인 총 웨이퍼 양산 능력 (월 50만 장) 확장이 끝난 후에도 새로운 팹을 추가해 월 생산량을 2031년까지 80만 장 정도 늘릴 것이라는 모건 스탠리의 분석이 나오기도 했습니다. 이것이 계획대로 된다면 2031년에는 CXMT가 마이크론을 제치고 메모리 빅 3가 될 가능성이 있습니다.
다만 계획대로 양산 능력 확충이 진행되기 위해서는 새로 도입하는 중국산 반도체 장비의 성능과 수율이 확보되어야 할 것으로 생각됩니다. 여기에 AI 붐이 얼마나 지속될지도 변수가 될 수 있습니다. 아무튼 CXMT의 공격적인 증설은 여기에 밀리지 않으려는 빅 3의 증설과 함께 메모리 시장에 큰 변수가 될 것으로 보입니다.
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