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  ( This cookie is made using waste plant materials and plastic and could feed humans everywhere from submarines to spaceships. Credit: SIU Carbondale Communications ) ​ ​ 넘쳐나는 플라스틱 쓰레기를 처리하기 위해 과학자들은 다양한 업사이클링 기술을 개발하고 있습니다. 대표적인 것은 분자 결합을 끊어 더 단순한 석유화학 제품으로 만들거나 대체 연료로 만드는 것입니다. ​ 남부 일리노이 대학교(SIU) 카본데일 연구팀 (Southern Illinois University (SIU) Carbondale)은 일반적으로 잘 시도되지 않는 새로운 업사이클링 기술을 시도했습니다. 효모를 이용해 플라스틱과 농업 폐기물을 식용 단백질과 맛을 내는 향미 분자(flavoring molecules)로 전환하는 것입니다. ​ 이 연구는 나사의 지원을 받고 있는데, 극도로 자원이 제한적인 장거리 우주 탐사, 예를 들어 달 기지나 회성 유인 탐사에서 자원을 재활용하는데 큰 도움이 될 수 있습니다. 물론 더 나아가 현재 인간이 직면한 심각한 폐기물 문제와 식량문제를 해결하는데 도움이 될 것입니다. ​ 연구팀은 8월 23 일부터 27일까지 매코믹 플레이스에서 열린 "생화학 및 화학 생물학 분야 학부 및 대학원 연구" 심포지엄 에서 이 연구 결과를 발표했습니다. 연구팀은 플라스틱을 재활용하여 더 가치 있는 제품을 만드는 기술을 개발하던 중 플라스틱도 탄소이고 음식도 탄소라는 데 착안해 식품을 만드는 데 집중해 연구를 진행했습니다. ​ 연구팀은 우선 가장 흔한 플라스틱엔 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)에 집중했습니다. 흔히 페트병이라고 불리는 플라스틱 용기를 만드는 PET는 탄소가 풍부한 분자를 포함하고 있어 화학적으로 단백질과 같은 물질로 재구성될 수 있습니다. 따라서 실험실에서 화학 반응과 용매를 이용해 여러 단계에 걸쳐 단백질로...

  CXMT가 LPDDR6 양산을 준비중이라는 루머가 나온지 얼마 되지 않은 상황에서 실제 샤오미의 SoC인 XRING 03에 탑재가 확인됐습니다. 샤오미 18 폴드에만 탑재될 LPDDR6는 초기 출하 물량은 많지 않은 것으로 보입니다. 이 제품의 출하량은 50만대도 채 되지 않을 것이기 때문입니다. 하지만 일단 가장 먼저 LPDDR6를 양산했다는 타이틀과 함께 최초의 LPDDR6 스마트폰이라는 상징적 의미를 가져가려 한 것으로 보입니다. ​ 다만 TSMC의 N3P 공정으로 양산하는 XRING 03은 대량 생산에 문제가 없어도 CXMT의 LPDDR6 제품은 초기에는 양산 규모가 크지 않을 것으로 생각됩니다. 아직은 초기 생산 단계에 있는 제품을 상징적인 의미로 먼저 소량 출시한 것으로 보이는데, 아무튼 양산 성공 자체가 앞으로 CXMT의 신규 팹 확장과 맞물려 이제 곧 대량 생산으로 진행될 것이라는 점을 예고하고 있습니다. ​ 이번에 양산에 들어간 LPDDR6 제품은 최고 속도 12800MT/s 베이스 속도 10766MT/s 제품으로 16Gb (2GB) 다이이며 8개까지 적층해 16GB 용량을 확보할 수 있습니다. 앞으로 샤오미를 시작으로 중국 내 스마트폰 제조사들에서 채택이 늘어날 것으로 예상됩니다. ​ 다만 화웨이와 마찬가지로 CXMT는 복잡한 멀티패터닝 기술이 적용된 기존의 심자외선(DUV) 장비를 활용할 수밖에 없으며, 이는 비용 증가와 수율 저하로 이어질 수 있습니다. CXMT가 DDR5/LPDDR5x에서 수율을 상당히 높이긴 했지만, LPDDR6는 새로운 도전이 될 수 있습니다. 그럼에도 최근 성장 속도를 보면 무시할 수 없는 게 사실이고 메모리 빅 3가 AI 메모리에 집중하는 동안 소비자 시장에 주력하면서 이 부분에서 무섭게 비중을 늘려나가고 있어 앞으로 메모리 시장을 뒤흔들 변수가 될 것으로 예상합니다. ​ ​ 참고 ​ ​ https://wccftech.com/chinas-cxmt-lpddr6-ram-mass-production-se...

  ​ CXMT는 최근 IPO와 1/2 분기 전년 동기 대비 7배에 달하는 기록적인 매출 덕분에 많은 수익을 내면서 허페이와 베이징, 상하이의 3개 클러스터에 팹을 공격적으로 증설하고 있습니다. 올해 말 일반 D램 양산 능력은 웨이퍼 기준 월 30만장 정도이며 여기에 HBM2E/HBM3 기준 5만장을 목표로 개발 중에 있는 것으로 알려져 있습니다. CXMT의 올해 초 현황에 대해서는 앞서 영상에서 소개한 바 있습니다. ​ ​ ​ CXMT는 현재 D 트랜지스터에 고유전율 금속 게이트(HKMG, High-k Metal Gate) 기술을 사용하고 있습니다. 반도체 회로가 나노미터 크기로 축소됨에 따라 표준 이산화규소(SiO₂) 절연층은 일반적으로 효과를 잃어 너무 얇아져 양자 터널링을 통해 전류가 직접 누출되기 시작합니다. ​ 이러한 공정 소형화 제약을 극복하기 위해 CXMT는 기존 의 실리콘 기반 절연체를 하프늄 산화물(HfO₂)과 같은 소재로 대체하는 고유전율 금속 게이트(HKMG) 기술을 사용하고 있는 것으로 보입니다. 여기서 "k"는 유전 상수, 즉 재료의 전기 절연 능력을 나타냅니다. 하프늄은 이산화규소보다 훨씬 높은 "k" 값을 가지므로, 동일한 전압에서 더 많은 전하를 저장할 수 있어 D램 공정의 소형화가 가능합니다. HKMG 기술은 전류 누설과 그로 인한 열 에너지 낭비를 줄일 뿐만 아니라 전력 효율을 향상시키고 트랜지스터가 훨씬 빠르게 상태를 전환할 수 있도록 돕습니다. ​ CXMT는 현재 이 기술을 1z 노드로 널리 알려진 G4 제조 공정에 도입한 상태로 LPDDR5x 및 DDR5 제품을 양산하는데 사용하고 있습니다. 18nm G3 DRAM 공정을 사용하여 3세대 HBM인 HBM2E의 시범 생산 단계에 있는 것으로 알려졌습니다. 또한 G4 공정을 사용한 HBM3 샘플링도 진행 중입니다. ​ 15nm 공정급인 G5 (다른 제조사의 1a) 공정의 샘플링에 들어간 CXMT는 LPDDR6 초기 생산에 성공한 것으...