(Credit: ASML)
인텔이 ASML로 부터 최신 0.55 High-NA (numerical aperture) EUV 리소그래피 장치인 선물 (?) 받았습니다. 물론 돈을 주고 샀으니 엄밀히 말하면 선물이라곤 할 수 없지만, 현존하는 가장 강력한 반도체 리소그래피 장비를 경쟁자보다 먼저 인도 받았으니 선물이라고 불러도 과언이 아닐 것입니다. 앞서 트윈스캔 EXE:5000 (Twinscan EXE:5000)의 첫 고객이 아마도 인텔일 것이라고 설명한 바 있는데 진짜 그런 것으로 밝혀져서 흥미롭습니다.
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트윈스캔 EXE:5000/5200은 대당 가격이 3-4억 달러에 달하는 세상에서 가장 비싼 0.55 NA EUV 리소그래피 장치로 기존의 0.33NA low-NA EUV 장치보다 더 낮은 공정 복잡도에서 공정 미세도를 구현할 수 있습니다. 반도체 제조 과성에서 더 여리한 도구가 있으면 가능한 적은 횟수로 회로를 새겨 넣을 수 있어 더 작은 미세 공정 구현이 쉬워집니다. DUV 장치 이후 도입된 0.33NA EUV 장치가 그랬고 올해 선적된 0.55NA EUV 장비가 그럴 것입니다.
트윈스캔 EXE:5000은 미국 오레곤에 있는 D1X 팹에 선적되는 것으로 알려졌습니다. 이 장비는 18A 공정의 핵심 장치가 될 예정으나 실제 상업화 모델인 5200의 양산이 늦어지면서 18A는 기존 장비로 더블 패터닝을 하고 18A 이후 공정에 본격 적용될 것으로 보입니다. 물론 그전에 인텔은 파워비아 기술과 인텔3, 20A 공정 등 새로운 제조 기술을 0,33NA (low NA) EUV 리소그래피 장치로 생산할 것입니다.
하지만 사실 트윈스캔 EXE:5000/5200이라고 해서 진짜 2nm 이하의 회로를 새길 수 있는 건 아닙니다. 실제 해상도는 8nm 정도입니다. 하지만 이전 세대 0.33NA 장비의 13nm 해상보다 훨씬 높아져 더 미세한 회로를 만드는 데 유용하게 쓰일 것으로 보입니다.
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