(출처: Xperi)
SK 하이닉스가 미국의 반도체 패키징 기술 전문 기업인 엑스페리(Xperi)에서 DBI Ultra 2.5D/3D interconnect technology를 비롯한 반도체 관련 기술을 라이센스 했다는 소식입니다. DBI Ultra 2.5D/3D 연결 기술은 자회사인 인벤사스(Invensas)에서 개발한 것으로 반도체 칩을 수직으로 쌓는 경우 아래 위 연결 회로를 만드는 기술입니다.
D램이나 낸드 플래시 메모리는 용량을 늘리기 위해 수직으로 다이를 여러 개 쌓는데, 칩과 칩 사이는 작은 구리 배선이 들어갑니다. DBI Ultra 2.5D/3D 는 일반적인 구리 배선이 ㎟당 밀도가 625개 정도인데 비해 무려 10만에서 100만개의 연결을 제공합니다. 따라서 데이터 전송 속도를 높일 수 있을 뿐 아니라 더 높이 쌓을 수 있습니다. 엑스페리에 의하면 16층으로 쌓은 HBM2/3 메모리가 가능합니다. 그 경우 용량을 획기적으로 높일 수 있습니다.
물론 이렇게 여러 층으로 쌓는 경우 발열 등 다른 문제가 생기지만, 하이닉스가 이 기술을 라이센스 했다는 이야기는 앞으로 관련 제품이 나올 수 있다는 이야기입니다. 엑스페리 측의 설명으로는 다양한 칩을 아파트처럼 수직으로 쌓을 수 있습니다. 과연 어떤 제품이 나올지 궁금합니다.
참고
정말 잘 보고있습니다.항상 감사해요
답글삭제감사합니다. 구글 블로거 댓글은 드문데 이렇게 남겨주시니 반갑네요.
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