(출처 : 글로벌 파운드리)
한때 IBM, 삼성전자와 함께 반도체 연합을 이뤘던 글로벌 파운드리는 7nm 공정 팹 건설에 드는 막대한 비용을 감당하지 못하고 결국 미세공정 개발을 포기한다고 선언했습니다. 이후 이 회사는 12nm 공정을 개량하고 10nm 이하 공정을 필요로 하지 않는 고객사를 타겟으로 생존을 모색하고 있습니다. 비록 10nm 이하 미세 공정을 포기했다고 해도 아직 노릴 수 있는 틈새시장은 충분하기 때문에 연구 개발 역시 포기하지 않고 있습니다.
글로벌 파운드리는 최근 싱가포르의 난양 공대(Nanyang Technological University) 와 협력해 차세대 비휘발성 메모리인 resistive random access memory (ReRAM)를 개발한다고 발표했습니다. 국가 연구 기금에서 1억2000만 싱가포르 달러 (약 8800만 달러)를 지원받아 ReRAM을 공동으로 개발하는 것입니다.
현재 저용량의 사물 인터넷 및 임베디드 기기에 사용되는 플래시 메모리 기반 저장 시스템인 eFlash는 낮은 속도와 용량으로 인해 결국 임베디드 MRAM (eMRAM)으로 대체될 것으로 예상됩니다. 28nm 이하 공정에서는 eMRAM이 유리하고 앞서 소개한 것처럼 삼성전자와 글로벌 파운드리/에버스핀은 28nm 공정 기반의 STT-MRAM (Spin-transfer Torque Magnetoresistive RAM) 1Gb 제품을 선보였습니다. MRAM은 미세 공정에서 플래시 메모리 대비 제조가 용이하고 지우는 과정이 없어 동작 속도가 매우 빠를 뿐 아니라 수명도 매우 길다는 장점이 있습니다.
하지만 MRAM 역시 기록 밀도가 낮고 온도가 낮은 환경에서 잘 작동하지 않는 문제가 있습니다. ReRAM은 이 문제를 극복할 대안 중 하나로 글로벌 파운드리는 12nm 공정을 ReRAM 생산을 위해 사용할 계획입니다. 좋은 결과가 나올지는 모르겠지만, 이 회사가 사용할 수 있는 가용 자원을 최대한 활용해 결과물을 내놓겠다는 의도로 생각됩니다.
아무튼 글로벌 파운드리 역시 미세 공정은 포기해도 생존은 포기할 수 없기 때문에 신기술 개발에 매달릴 것입니다. 결국은 매각될지도 모르지만, 매각되더라도 최대한 좋은 값을 받을 수 있게 몸값을 올려야 하기 때문입니다.
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