36GB 12Hi HBM3E 메모리를 공개한 삼성전자

(출처: 삼성전자)

마이크론이 HBM3E 메모리 양산 소식과 함께 엔비디아의 H200에 이 제품을 탑재한다는 뉴스를 전하자마자 삼성전자가 HBM3E 12Hi 36GB 메모리의 개발을 발표했습니다. 샤인볼트 (Shinebolt)라는 코드명이 붙은 HBM3E 제품은 핀 당 최대 9.8Gb/s의 대역폭과 스택 당 1.225TB/s의 대역폭을 지니고 있습니다.

따라서 6개의 HBM3E 메모리를 사용하는 H200 같은 제품은 최대 216GB의 메모리와 7.35TB/s의 대역폭을 확보할 수 있습니다. 물론 100% 용량과 대역폭을 사용하긴 힘들어서 실제로는 이보다 작긴 하겠지만, 그래도 엄청난 용량과 속도를 확보할 수 있는 점은 변함이 없습니다.

(출처: 아난드텍)

삼성전자는 HBM3E 제품이 다음 분기에 양산에 들어가서 올해 안에 고객사에 전달될 것이라고 언급했습니다. 구체적인 고객사는 공개하지 않았지만, 최근 HBM 메모리의 최대 고객이 엔비디아라는 점을 생각하면 유력한 후보입니다.

이렇게 HBM 메모리를 경쟁적으로 출시할 경우 성능이 높아질 뿐 아니라 대량 생산에 따른 가격 하락도 기대할 수 있어 장기적으로 HBM 생태계 확장에 기여할 것으로 예상됩니다. 결국 나중에는 서버용 제품 뿐 아니라 일반 소비자용 그래픽 카드나 게임 콘솔에 들어가는 GDDR 메모리 수요를 일부 잠식할 수 있을지도 모릅니다. HBM 메모리 시장이 얼마나 확장될 수 있을지 앞으로가 기대됩니다.

참고

https://www.anandtech.com/show/21278/samsung-launches-12hi-36gb-hbm3e-memory-stacks-with-10-gts-speed

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