(Credit: Intel)
인텔이 18A 노드 다음 공정인 14A 및 14A-E 공정에 대한 로드맵을 발표했습니다. 한때 독일에 신설하는 마데부르크 팹에 15A 공정을 추가한다는 언급이 있었지만, 로드맵에서는 나타나지 않아 그냥 14A 노드로 명칭을 통일한 것으로 보입니다.
새 로드맵을 보면 14A 노드는 적어도 2025년 이후, 그리고 아마도 2026년 이후 등장할 것으로 보이지만, 정확한 시기는 특정하지 않았습니다. 14A는 ASML의 최신 high NA EUV 리소그래피 공정을 적용한 첫 번째 프로세스 노드가 될 예정입니다. 다만 18A 공정과 비교해서 얼마나 성능이 향상되는 것인지는 공개하지 않았습니다.
14A 공정은 18/20A 공정에서 적용된 후면 전력 공급 방식인 (backside power delivery network (BSPDN)) 파워비아 (PowerVia)와 인텔의 게이트 올 어라운드 (GAA) 기술인 리본펫(RibbonFET)을 이어받을 것으로 보입니다. 다만 더 미세한 회로를 만들 수 만들 수 있는 만큼 18A보다 성능과 트랜지스터 밀도를 더 높일 수 있을 것으로 보입니다.
그 다음 공정은 12A나 10A가 아닌 14A-E로 정해졌는데 2027년에 선보일 예정입니다. 참고로 각 공정에 붙은 접미사의 뜻은 아래와 같습니다.
E, Feature Extension: 더 높은 전압 같은 추가 기능을 넣은 노드로 성능을 다소 높인 고성능 공정. 와트 당 성능이 5% 이내로 향상될 수 있음.
P, Performance Improvement: 와트 당 성능을 5-10% 정도 높은 더 높은 성능을 위한 노드
T, Through-Silicon Vias: TSV 를 넣은 특수 버전의 공정.
과거 같으면 +나 ++를 붙일 공정으로 보이는데, 트랜지스터 밀도는 그대로고 성능을 약간 높이거나 TSV를 추가해 3D 패키징에 넣을 수 있게 만든 버전으로 생각됩니다. 아무튼 4년 동안 5개 공정을 밀어붙인 인텔도 경쟁자를 어느 정도 추격한 이후에는 빠른 공정 전환은 어렵다는 점을 보여주고 있습니다.
그러나 인텔은 여전히 4년 동안 5개 공정 (5N4Y) 정책을 유지할 계획입니다. 다만 최신 미세 공정이 아니라 이전 공정 팹을 개선하는 방식입니다. 18A는 18A-P로 인텔 3은 3-E와 3-PT로 인텔 16공정은 UMC와 함께 인텔 12공정으로 진화해 다양한 고객에게 제품을 공급하게 됩니다. 이런 다양한 공정 유지는 파운드리 사업을 위해서는 당연한 변화이기도 합니다.
한편 인텔은 반도체 프로세스 노드 뿐 아니라 칩 패키징 부분에도 새로운 변화를 예고했습니다. 인텔은 2세대 E 코어 기반 제온인 클리어워터 포레스트 (Clearwater Forest)에서 인텔 3 공정 베이스 타일 위에 18A 컴퓨트 다이를 올리고 이를 EMIB 및 포베로스 다이렉트 (Foveros Direct)로 연결할 계획입니다. 여기에 2025년에는 소비자용 18A 프로세서인 팬서 레이크 (Panther Lake) 역시 예정되어 있습니다. 그 다음 2026년에는 14A 제품이 등장할 수 있을지 주목됩니다.
참고
https://www.anandtech.com/show/21271/intel-foundry-future-14a-foveros-direct-beyond
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