내년 300층 3D 낸드 양산 계획을 세운 삼성전자

(출처: 삼성전자)

높게 쌓기 위한 낸드 플래시 업계의 경쟁이 치열한 가운데, 업계 1위인 삼성전자가 내년 초 더블 스택 기반의 300층 대 낸드 플래시 메모리 양산 계획을 밝혔습니다.

이미 200층 이상의 낸드 플래시 메모리 양산에 들어간 상황에서 삼성전자, SK 하이닉스, 마이크론 등은 300층 낸드 플래시 메모리 개발에 집중하고 있습니다.

삼성전자에 앞서 SK 하이닉스는 트리플 스택 기반의 321층 3D 낸드를 공개했습니다. 트리플 스택 낸드는 120층, 110층, 91층의 세 개의 낸드 플래시를 합쳐 321층을 구현했다는 의미입니다. 따라서 양산 단가가 다소 올라갈 가능성이 있습니다.

삼성은 300층 이상인 9세대 V 낸드에서도 더블 스택 구조를 유지할 것이라고 밝혔습니다. 상대적으로 가격면에서 유리할 가능성을 시사하는 대목입니다. 참고로 삼성전자는 더블 스택 도입 역시 다른 경쟁사 대비 늦은 시점에 진행했습니다.

삼성의 9세대 V 낸드는 내년 초 양산 예정입니다. 이렇게 층수가 많아지고 데이터 기록 밀도가 높아지면 속도가 중요해지는데, 삼성전자는 V 낸드의 입출력 속도를 높이기 위해 노력하고 있습니다. 보통 한 세대가 지날 때마다 속도가 더 빨라졌기 때문에 이번에도 예외는 아닐 것으로 생각합니다.

300층 이상의 V 낸드가 대중화되면 더 고용량의 SSD와 마이크로 SD 메모리가 대중화 될 것으로 기대합니다.

참고

https://www.tomshardware.com/news/samsung-says-300-layer-v-nand-is-on-track-for-2024

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