(출처: SK 하이닉스)
SK 하이닉스가 12개의 16Gb 메모리 다이를 올린 12Hi-HBM3 메모리를 공개했습니다. HBM3 24GB 메모리는 819GB/s의 대역폭을 지녀 4개만으로도 3.2TB/s 이상의 속도를 확보할 수 있으며 6개를 붙이는 경우 4.9TB/s 속도와 144GB의 용량을 확보할 수 있습니다.
12Hi HBM3 메모리를 만드는 것은 사실 꽤 어려운 일입니다. 메모리를 아파트처럼 쌓아 올리면서 동시에 6000개가 넘는 TSV를 연결해야 하고 마지막으로 두께를 8Hi HBM3 메모리와 동일하게 유지해야 하기 때문입니다. 그래야 CPU나 GPU옆에 안정적으로 연결할 수 있습니다. 메모리의 두께가 이미 700-800마이크로 미터 수준으로 1mm 이하인 점을 생각하면 각각의 층은 머리카락 굵기 수준도 안된다고 할 수 있습니다.
이를 가능하게 한 것은 MR-MUF(Mass Reflow Molded Underfill: 플립칩에서 몰딩과 동시에 Gap Filling을 확보해 주는 몰딩 컴파운딩 공정) 기술로 SK 하이닉스는 이미 메모리 다이를 50 마이크로미터 이하 두께로 제조하는 패키징 기술을 확보했습니다.
관련 기사 : https://news.skhynix.co.kr/post/next-generation-semiconductor
SK 하이닉스는 HBM3 24GB 메모리의 양산이 올해 하반기에 이뤄질 것이라고 발표했습니다. 주 수요층은 엔비디아처럼 고성능 인공지능 연산 GPU를 만드는 제조사나 새로 이 분야에 뛰어드는 인텔 등이 될 것입니다. HBM3 메모리 같은 고부가가치 메모리가 현재 다소 어려운 과정을 겪는 우리 반도체 산업에 힘이 될 것으로 생각합니다.
참고
https://www.tomshardware.com/news/sk-hynix-samples-24-gb-hbm3-modules
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