SK 하이닉스의 24GB HBM3 메모리

(출처: SK 하이닉스)

SK 하이닉스가 12개의 16Gb 메모리 다이를 올린 12Hi-HBM3 메모리를 공개했습니다. HBM3 24GB 메모리는 819GB/s의 대역폭을 지녀 4개만으로도 3.2TB/s 이상의 속도를 확보할 수 있으며 6개를 붙이는 경우 4.9TB/s 속도와 144GB의 용량을 확보할 수 있습니다.

12Hi HBM3 메모리를 만드는 것은 사실 꽤 어려운 일입니다. 메모리를 아파트처럼 쌓아 올리면서 동시에 6000개가 넘는 TSV를 연결해야 하고 마지막으로 두께를 8Hi HBM3 메모리와 동일하게 유지해야 하기 때문입니다. 그래야 CPU나 GPU옆에 안정적으로 연결할 수 있습니다. 메모리의 두께가 이미 700-800마이크로 미터 수준으로 1mm 이하인 점을 생각하면 각각의 층은 머리카락 굵기 수준도 안된다고 할 수 있습니다.

이를 가능하게 한 것은 MR-MUF(Mass Reflow Molded Underfill: 플립칩에서 몰딩과 동시에 Gap Filling을 확보해 주는 몰딩 컴파운딩 공정) 기술로 SK 하이닉스는 이미 메모리 다이를 50 마이크로미터 이하 두께로 제조하는 패키징 기술을 확보했습니다.

SK 하이닉스는 HBM3 24GB 메모리의 양산이 올해 하반기에 이뤄질 것이라고 발표했습니다. 주 수요층은 엔비디아처럼 고성능 인공지능 연산 GPU를 만드는 제조사나 새로 이 분야에 뛰어드는 인텔 등이 될 것입니다. HBM3 메모리 같은 고부가가치 메모리가 현재 다소 어려운 과정을 겪는 우리 반도체 산업에 힘이 될 것으로 생각합니다.

참고

https://www.tomshardware.com/news/sk-hynix-samples-24-gb-hbm3-modules

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