(출처 : SK 하이닉스)
(출처: ASML)
SK 하이닉스가 메모리 업계 최초로 high NA EUV 리소그래피 장치를 반입했습니다. EUV 장비 가운데서도 high NA는 개구수 (NA, Numerical Aperture, 렌즈가 빛을 얼마나 많이 모을 수 있는지 나타내는 수치)가 높아 더 정밀한 회로를 새길 수 있는 장치를 의미합니다.
이번에 도입한 ASML의 트윈스캔 EXE:5200B는 0.55 NA 장치로 기존의 0.33NA 장치와 비교해서 1.7배 더 높은 정밀도로 2.9배 높은 집적도를 구현할 수 있다고 합니다. 0.55NA 장치를 최초로 도입한 것은 인텔인데 현재 초기 생산에 들어간 18A에 적용되어 있습니다. 여기서도 볼 수 있지만, 장비 도입 후 바로 양산에 들어가는 것이 아니고 실제 양산까지는 시간이 좀 걸리게 됩니다.
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트윈스캔 EXE: 5000/5200 시리즈는 대당 3-4억 달러에 달하는 고가 장비로 이천에 있는 M16 팹에 설치될 예정입니다. 이것으로 구체적으로 어떤 제품을 만들지는 설명하지 않았지만, 밀도와 집적도를 더 높인 차세대 메모리가 될 것은 확실합니다. 어떤 결과물이 나오게 될지 궁금합니다.
참고
https://wccftech.com/sk-hynix-becomes-the-first-in-the-industry-to-deploy-asml-high-na-euv-systems/
https://news.skhynix.co.kr/high-na-euv-introduce/


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