(출처: SK 하이닉스)
SK 하이닉스가 GDDR6 및 HBM2 메모리를 제품 리스트에 올렸습니다. 동시에 JEDEC에서도 GDDR6 규격을 발표했다는 소식입니다. 앞서 포스트에서 설며한 것처럼 GDDR은 그래픽 연산에 대응하기 위해 대역폭과 속도를 높인 DDR 메모리로 기존에 나온 GDDR4/5는 사실 DDR3 기반입니다.
하지만 GDDR 메모리의 발전이 빠르다보니 GDDR5x 및 GDDR6는 사실상 DDR5와 유사한 부분을 지닌 독자 규격으로 발전하고 있습니다. 새로운 GDDR6는 32bit 인터페이스와 16n prefetch를 지니고 있으며 전송 속도는 최고 16 GT/s에 달합니다. 다만 실제 제품은 12GT/s 및 14GT/s 로 등장하게 됩니다.
180핀 BGA 방식으로 PCB에 장착되며 (GDDR5 는 170핀, GDDR5X는 190핀) 전압은 1.35V 정도입니다. DDR4보다 높은 전압인데, 클럭과 대역폭이 넓은 GDDR 메모리의 특성상 어쩔 수 없는 부분인 것 같습니다.
SK 하이닉스는 올해 4분기에는 HBM2 메모리를 포함해서 GDDR6 메모리를 출하할 것이라고 언급했습니다. GDDR6는 384bit 인터페이스를 가질 때 672 GB/s라는 상당히 큰 대역폭을 확보할 수 있기 때문에 차기 GPU까지 감당이 가능합니다. 구체적으로 어떤 제품에 탑재될 것인지는 아직 공개되진 않았지만, 엔비디아와 AMD의 차기 GPU에 탑재될 가능성이 가장 크다고 생각됩니다.
과연 2017년 하반기에 플래그쉽 그래픽 카드 신제품이 나올 수 있을 것인지 궁금합니다.
참고
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