4nm 공정까지 로드맵을 공개한 삼성

 삼성 전자가 2020년까지 파운드리 로드맵을 공개했습니다. 이 로드맵 대로 진행된다면 앞으로 몇 년 간 모바일 AP는 물론 파운드리 반도체의 공정이 계속해서 끊임없이 개선될 것으로 볼 수 있습니다. 

 우선 2017년에는 10nm 공정의 개선 버전인 8LPP (8nm Low Power Plus) 공정의 리스크 생산이 시작될 것이라고 합니다. 이 공정은 극자외선 (EUV)를 사용하지 않는 미세공정으로 기존 방식 가운데서 가장 미세한 공정이 될 가능성이 높습니다. 10nm의 개선 공정이지만, 더 높은 밀도와 성능을 제공하게 될 것이라고 합니다. 

 2018년에는 세계 최대의 반도체 설비 제조업체인 ASML과 협력해서 EUV 기반의 첫 공정인 7LPP (7nm Low Power Plus)를 선보이게 됩니다. 7LPP는 250W EUV 장치 기반이며 공정 미세화의 한계를 다시 한번 극복하는 계기가 될 것입니다. EUV 및 ASML에 대해서는 이전 포스트를 참조해 주시기 바랍니다. 

 이전 포스트 : http://blog.naver.com/jjy0501/220647431680

 그 다음 미세 공정은 6LPP (6nm Low Power Plus)로 7LPP의 개선 공정입니다. 리스크 생산은 2019년 정도로 예상되고 있습니다. 비슷한 시기에 차세대 공정인 5LPP (5nm Low Power Plus) 역시 리스크 생산을 시도할 것입니다. 

 2020년에는 4LPP (4nm Low Power Plus)의 리스크 생산이 시도되는데, MBCFETTM structure (Multi Bridge Channel FET) 기술이 적용되게 됩니다. 이 기술은 기존의 FinFET과 다른 삼성의 GAAFET (Gate All Around FET) 기술을 사용한 것이라고 하는데, 구체적인 내용은 더 기다려봐야 할 것입니다. 

 2020년 초반까지는 어느 정도 로드맵이 있지만, 사실 그 이하 미세 공정은 아마도 EUV로도 쉽지는 않을 것 같습니다. 삼성의 꾸준한 미세 공정 기술이 놀랍기도 하지만, 과연 어떤 방식으로 기술적 한계를 극복할 것인지 궁금해지는 소식이기도 합니다. 결국 이 부분은 시간이 밝혀줄 것으로 생각합니다. 

 참고 

https://news.samsung.com/global/samsung-set-to-lead-the-future-of-foundry-with-comprehensive-process-roadmap-down-to-4nm

http://wccftech.com/samsung-4nm-new-roadmap-detailed/