176단 3D 낸드를 발표한 SK 하이닉스

(출처: SK 하이닉스)

SK 하이닉스가 128단 3D 낸드의 후속 제품인 176단 3D 낸드 512Gbit TLC 시제품을 공개했습니다. 176단 3D 낸드는 작년에 이미 제품 개발 소식을 전했던 기술로 마이크론에 잠시 발표 시기가 밀렸으나 양산은 그렇게까지 늦지 않을 것으로 예상됩니다. 176단 3D 낸드는 내년에 양산에 들어갈 예정입니다.

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하이닉스의 176단 3D 낸드는 4D 낸드라고 명명한 Periphery under Cell (PUC) 디자인과 차지 트랩 플래시(CTF) 기술을 사용했습니다. 이는 인텔이나 마이크론이 사용하는 CMOS Under Array과 유사하게 낸드 셀 아래 주변 로직 회로를 배치하는 방식으로 면적을 줄일 수 있습니다.

다만 셀 높이를 높일수록 높이가 불균일해지면서 안전성에 문제가 생기고 셀 열화 현상이 더 심해집니다. 이를 극복하기 위해 SK 하이닉스의 176L 낸드는 '△셀 층간 높이 감소 기술 △층별 변동 타이밍 제어 기술 △초정밀 정렬 보정 기술'을 통해 이를 극복했다고 합니다. 그리고 '2분할 셀 영역 선택' 기술을 통해 셀 단위에서 속도를 20% 높였으며 데이터 전송 속도도 전 세대의 1.2Gb/s에서 1.6Gb/s로 더 빨라졌습니다.

올해 많은 회사들이 100단 이상의 고적층 3D 낸드 양산에 들어갔거나 시제품 개발을 공개한 상태로 키옥시아/웨스턴 디지털도 112층 낸드를 발표했고 인텔도 내년에 144층 QLC 낸드를 양산할 계획입니다. 삼성 역시 128층 이후 더 고층 3D 낸드를 준비 중이며 마이크론 역시 내년에 176층 낸드를 양산할 예정입니다. 따라서 내년에는 100층 이상의 3D 낸드가 일반화되면서 더 고용량의 SSD와 microSD가 대중화 될 것으로 기대됩니다.

참고

https://www.anandtech.com/show/16299/sk-hynix-announces-176layer-3d-nand

https://news.naver.com/main/read.nhn?mode=LSD&mid=sec&sid1=105&oid=030&aid=0002917070

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