삼성전자와 SK 하이닉스는 이미 100층 이상의 3D 낸드 플래시 메모리 양산에 돌입했습니다. 마이크론은 이 회사의 4세대 3D 낸드 기술인 4th Gen 128-layer 3D NAND의 테입 아웃에 성공했다고 발표했습니다. 이는 양산에 임박했다는 이야기이지만, 그렇다고 해도 이미 양산에 들어간 삼성이나 하이닉스에 비해 한 발 늦은 양산으로 볼 수 있을 것 같습니다.
3D 낸드라고 해도 사실 세부적인 기술적 내용은 회사마다 다릅니다. 마이크론의 3D 낸드 기술은 replacement gate (RG) 아키텍처라는 방식으로 새로운 형식의 플로팅 게이트 기술이라고 소개하고 있으나 세부적인 내용은 아직 공개하지 않았습니다. 아무튼 이 제품의 실제 양산은 2020년 정도에 이뤄질 것으로 보입니다. 현재 마이크론의 최신 3D 낸드 기술은 96층 3D 낸드로 내년에도 여전히 주력 생산 제품이 될 것입니다.
아무튼 삼성전자와 SK 하이닉스가 이미 100층 이상 3D 낸드 플래시 메모리 양산에 들어가고 인텔 역시 내년에 144층 QLC 낸드 양산을 계획하고 있으며 마이크론도 자사의 4세대 128층 3D 낸드 양산 계획을 발표했기 때문에 2020년에는 100층 이상 3D 낸드가 일반적인 제품이 될 것으로 예상됩니다. 이에 따라 지금다소 반등한 SSD 가격도 더 내려갈 수 있을 것으로 기대합니다.
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