강유전체 메모리 (FeRAM) 기술 접목한 DRAM+에 도전하는 유럽

((Ramtron의 FeRAM © Raimond Spekking / CC BY-SA 4.0 (via Wikimedia Commons)))

인텔 옵테인 메모리의 실패로 인해 차세대 고속 비휘발성 메모리에 대한 기대가 다소 줄어들긴 했지만, D램처럼 빠르고 낸드 플래시 메모리처럼 전원이 꺼져도 데이터를 기록할 수 있는 메모리에 대한 수요는 여전히 존재합니다.

Ferroelectric Memory Co. (FMC)와 뉴몬다 (Neumonda)는 독일에서 DRAM+라는 명칭으로 다시 차세대 비휘발성 메모리 개발 및 제조에 도전할 예정입니다. 다만 이들의 목표는 인텔처럼 D램과 낸드 플래시 메모리 사이에 새로운 제품군을 만드는 것이 아니라 이런 형태의 메모리를 필요로 하는 틈새 시장을 노리는 것이 목표입니다.

이름에서 짐작할 수 있듯이 이들이 개발하는 것은 강유전체 메모리 (FeRAM)로 FMC는 특히 강유전체 산화 하프늄 (ferroelectric hafnium oxide (HfO₂))이라는 소재를 개발하고 있습니다.

현재 사용되는 강유전체 메모리는 PZT (lead zirconate titanate) 소재를 사용하는데 용량이 4MB나 8MB 정도에 불과하고 기존의 CMOS 공정에 통합하기 어려운 단점이 있습니다. 따라서 간단한 임베디드 기기처럼 사용 범위가 좁을 수밖에 없습니다.

반면 산화 하프늄은 기존의 CMOS 제조 공정에 쉽게 통합할 수 있고 10nm 공정까지 쉽게 미세화할 수 있어 현재 사용되는 메모리처럼 기가바이트급 제품도 만들 수 있습니다. D램의 캐퍼시터를 강유전체 산화 하프늄 소재로 대체해 비휘발성 D램을 만드는 것이 D램 + 기술의 개요입니다.

물론 기술적으로 가능하다고 해서 반드시 시장 진입에 성공하는 것은 아닙니다. 업계에서 영향력이 막강한 인텔과 마이크론이 연합한 3D Xpoint (옵테인) 역시 비싼 가격과 애매한 성능으로 인해 시장 진입에 실패한 전적이 있습니다. 다만 가격만 합리적이면 들어갈 틈새 시장은 얼마든지 있습니다. 업계의 공룡도 실패한 D램 + 비휘발성 메모리 기술이 독일에서 성공할 수 있을지 주목됩니다.

참고

https://www.tomshardware.com/pc-components/dram/dram-memory-designed-to-provide-dram-performance-with-ssd-like-storage-capabilities-uses-feram-tech

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