18A 공정에 대한 더 자세한 정보를 제공한 인텔

 

(Credit: Intel)

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인텔 18A 공정은 현재 전례 없는 위기 상황에 놓인 인텔의 마지막 희망으로 여겨지고 있습니다. 만약 18A의 양산 마저 실패한다면 인텔은 라이벌인 AMD처럼 팹리스 회사로 전향할 수밖에 없으리라는 전망이 지배적입니다. 올해 하반기 첫 제품 출하를 앞두고 있는 인텔은 18A 공정에 대한 좀 더 상세한 정보를 공개했습니다.

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인텔은 인텔 3 공정 (제온 6, 그래나이트 래피즈)과 새로운 인텔 18A 공정을 비교했습니다. 참고로 인텔 3 공정은 인텔의 2세대 EUV 리소그래피 공정인 1세대인 인텔 4 (메테오 레이크에 사용됨) 공정과 비교해서 면적은 0.9배 (같은 칩에서 면적 10% 감소), 성능은 17% 정도 향상되었다고 발표했었습니다.

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인텔 18A는 인텔 3과 비교해 0.72배의 면적을 지니는데, 한 세대가 아니라 두 세대를 건너 뛰면서 면적이 28%로 크게 감소한 것으로 보입니다. 성능은 1.1V 전압 기준으로 25% 높은 성능이나 혹은 같은 성능에서 36%나 줄어든 전력 소모를 보입니다. 0.75V의 저전력 환경에서는 18% 높은 성능이나 같은 성능에서 38% 줄어든 전력 소모를 보인다고 합니다.

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수치상으로 보면 상당히 개선된 것으로 보이는데, 이는 인텔 최초의 GAA 기술인 리본펫 (RibbonFET) 기술과 후면 젼력 공급 기술 (BSPDN, Backside Power Delivery Network)인 파워비아 (PowerVia)를 적용한 덕도 있는 것으로 보입니다. 다만 인텔의 18A 공정인 트랜지스터 밀도에서 TSMC N2보다는 낮을 것으로 알려져 있습니다. 그래도 제시한 수준의 성능을 양호한 수율로 뽑아 낼 수 있다면 새로운 희망이 생길 수 있습니다.

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인텔이 18A 기술을 적용한 팬서 레이크를 통해 기적적으로 부활할 수 있을지 결과가 주목됩니다. 올해 안으로는 출시하기로 한 만큼 곧 결과를 알 수 있게 될 것입니다.

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참고

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https://www.tomshardware.com/tech-industry/intel-details-next-gen-18a-fab-tech-significantly-more-performance-lower-power-higher-density