(출처: TSMC)
TSMC가 2028년 양산 계획인 A14 (1.4nm) 공정에 대해서 주요 내용을 공개했습니다. TSMC는 올해 말 쯤 N2 의 양산에 들어가고 2026년에는 고성능 버전인 N2P를 양산할 계획입니다. A16과 N2X는 2026-2027년에 선보이게 될 예정입니다. 2028년 등장할 A14는 진정한 차세대 공정으로 2세대 나노시트 GAA (Nanosheet GAA) 공정을 적용할 계획입니다.
2세대 나노시트 GAA 기술과 새로운 차세대 EUV 리소그래피 공정 도입으로 N2와 비교했을 때 A14는 같은 복잡도와 전력에서 10-15% 정도 높은 성능이나, 같은 성능에서 20-30% 정도 전력 소모를 줄일 수 있습니다. 트랜지스터 집적도는 같은 면적에서 20-23% 정도 높일 수 있는데, 이미 미세 공정의 회로 선폭이 크게 줄어든 점을 생각하면 상당한 수준의 밀도 증가입니다. 하지만 A10 이하의 초미세 공정은 어떻게 가능할 수 있을지 궁금해지는 대목이기도 합니다.
또 한 가지 흥미로운 대목은 TSMC가 상대적으로 늦게 GAA 기술을 적용하는 것은 물론이고 후면 전력 공급 기술 (BSPDN)의 적용도 늦다는 것입니다. A14 공정은 2028년에는 후면 전력 공급 기술을 적용하지 않을 예정이고 2029년에 와서 적용할 계획입니다. 신기술을 한 번에 대거 적용해서 문제가 생기는 것을 막기 위한 것으로 보이지만, 그런 기술 없이도 경쟁자를 따돌릴 수 있다는 자신감을 보여주는 대목이기도 합니다.
후면 전력 공급 기술은 인텔의 파워비아가 올해 A18 공정에서 첫 선보일 예정인데, 실제로 얼마나 성능을 높일 수 있을지 두고 보면 올해 안에 알 수 있게 될 것입니다. 지금으로 봤을 땐 TSMC의 2nm에 도전하기는 힘들어 보이는데, 인텔이 반전의 역사를 쓸 수 있을지 궁금합니다.
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