(출처: 인텔)
인텔이 최근 (4/11) 있었던 투자자 미팅 행사를 통해 오리건 주에 있는 D1X 팹의 Mod3 확장을 위해 30억 달러를 추가로 투자한다고 발표했습니다. D1X는 450 에이커 크기의 대규모 반도체 단지인 D1의 일부로 D1B, D1C, D1D 같은 구형 공정 팹이 함께 있습니다.
D1X-Mod3 팹은 ASML이 개발하고 있는 최신 EUV 노광 기기인 TWINSCAN EXE:5200 EUV를 사용하기 위해 더 높고 넓은 클린룸을 갖고 있습니다. 대략 27만 제곱피트 (2.5만 제곱미터) 면적의 클린룸으로 EXE 5000 시리즈 EUV 장치를 들여놓을 수 있습니다.
(Expanding in Oregon: Time-Lapse Video of Intel’s D1X Factory)
하지만 EXE 5000 시리즈 장치 자체는 인텔의 20A, 18A 최신 미세 공정에 바로 적용되지 않을 예정입니다. 인텔의 최초 EUV 공정 프로세스인 인텔 4 (과거 7nm)은 EXE 3000 시리즈 EUV 노광 장비를 사용할 예정인데, 이는 인텔 3, 20A, 18A도 마찬가지라고 합니다.
2024년 하반기까지 18A 공정을 진행한다는 것이 인텔의 계획인데, 20A는 2024년 상반기라 사실상 20A는 지나가는 공정이 될 가능성이 높아졌습니다. 이렇게 짧은 공정 수명은 경쟁자 대비 뒤처진 미세 공정을 따라잡기 위한 것이기도 하지만, 과거 10nm 공정에서 한 번에 너무 많은 것들을 바꾸려다가 곤욕을 치른 경험 때문이기도 합니다. 인텔의 새로운 로드맵은 한 번에 많은 것을 바꾸는 대신 여러 번에 걸쳐 작은 변화를 축적하는 방식을 보여주고 있습니다.
옴스트롱 (A) 미세 공정 세대에서 가장 큰 변화는 인텔의 게이트 올 어라운드 (GAA, Gate All Around) 방식인 리본 펫 (RibbonFET) 기술과 신호층과 전력층을 아래 위로 분리하고 트랜지스터를 중간에 삽입하는 방식인 파워비아 (PowerVia) 기술을 적용한다는 것입니다.
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다만 이는 한 번에 적용하는 게 아니라 우선 파워비아를 테스트할 테스트 노드를 거친 후 파워비아와 리본펫을 적용한 20A 공정을 도입하게 됩니다. 최신 EUV 노광 장치인 EXE 5000 시리즈 적용은 18A 이후의 일입니다. EXE 5000 시리즈는 반도체의 메탈 피치 라인 크기를 30nm 이하로 줄일 수 있어 아마도 18A 이후 새로운 미세 공정에 투입되거나 혹은 더 단순한 과정을 거쳐 18A 공정 생산이 가능할 것입니다.
경쟁자들이 다소 주춤한 사이 인텔이 미세 공정에 매우 의욕적인 투자를 하고 있는데, 제대로 결실을 맺을 수 있을지 결과가 주목됩니다.
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