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스냅드래곤 835 그리고 퀵차지 4.0을 발표한 퀄컴




 퀄컴이 차기 플래그쉽 AP인 스냅드래곤 835를 공개했습니다. 이 AP는 삼성의 10nm 공정으로 제조되며 내년 상반기 등장할 것으로 보이는 갤럭시 S8 등 플래그쉽 라인업에 들어갈 AP 입니다. 830이 아니라 835인 이유는 잘 모르겠지만, 사실 이름보다는 성능이 더 중요하겠죠. 


 새 AP에 대한 상세한 내용은 공개되지 않았지만, 10nm 공정 적용으로 30% 면적 효율, 27% 성능 향상, 40% 에너지 효율 향상이 있다고 합니다. 하지만 이는 공정에 대한 설명이지 스냅드래곤 835에 대한 설명이 아닌 만큼 실제 성능 면에서 어떤지는 내년에 물건이 나와봐야 판단이 가능할 것으로 보입니다. 


 퀄컴이 상세하게 공개한 것은 바로 퀵 차지 4.0 (Quick Charge 4.0) 입니다. 새로운 스냅드래곤 835와 전력 관리 IC (power managements ICs (PMICs)) 인 SMB1380/ SMB1381을 이용해서 사용이 가능합니다. USB type C 단자를 기본으로 3A 혹은 5A 전류를 지원하며 1세대 퀵 차지 대비 2.5배 충전 속도가 빨라진 것이 특징입니다.







 퀵 차지 4.0은 전 세대 대비 20% 빠르고 30% 효율이 좋아진 충전을 지원합니다. 다만 최근에 이슈가 된 것처럼 빠르고 용량 큰 배터리 이상으로 안전한 배터리가 중요하므로 안전에 대한 문제를 분명히 해결해야 할 것입니다. 퀄컴에 따르면 퀵 차지 4.0은 4단계의 열 보호와 3단계의 전류 및 전압 보호 기술로 안전을 보장한다고 합니다. 


 실제 성능은 물건이 나와봐야 평가가 가능하겠지만, 내년에 등장할 갤럭시 S8을 비롯해서 다양한 플래그쉽 스마트폰에 스냅드래곤 835와 이 기술이 탑재될 것으로 생각됩니다. 



 참고 



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