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2014년 11월 22일 토요일

2 년내로 10 TB SSD 가 가능 ? 인텔 3D 낸드 발표


 인텔은 마이크론과 손잡고 IMTF (Intel Micron Flash Technologies) 를 통해 낸드 플래쉬 메모리를 생산하고 있습니다. 그런데 IMTF 가 기존의 2D 평면 셀을 적층해서 3D 낸드 플래쉬 메모리를 개발했다는 소식입니다. 심지어 이를 이용해 2 년 정도 후에는 10 TB SSD 가 가능할지도 모른다고 언급했습니다. 



 (IMTF 의 3D 낸드   출처 : ?) 

 사실 3D 낸드 기술은 이미 삼성에서 사용화 시킨 상태로 대량 생산 중입니다. 현재까지는 삼성이 유일한 3D 낸드 제조사이지만 미래에는 더 많은 회사들이 여기에 합류할 것임은 자명합니다. 스토리지에서 용량은 매우 중요한 이슈이기 때문에 여러층으로 데이터를 저장하는 기술의 유용함은 더 말할 것도 없기 때문이죠. 


 인텔의 3D 낸드는 32 층으로 되어 있으며 용량은 MLC 인 경우 256 Gbit (32 GB), TLC 인 경우 384 Gbit (48 GB) 라고 합니다. 구체적인 공정은 밝히지 않았지만 이 소식을 전한 더 레지스터는 아마도 30 - 39 nm 공정이 아닐까 예상했습니다. 아무튼 3D 낸드를 통해서 용량을 크게 증가시킬 수 있는 것은 사실이기 때문에 공정 도입 자체는 환영할 만한 소식이죠. 


 지난 11월 20일 있었던 인텔 투자자 웹캐스트에서는 인텔의 롭 크룩 (Rob Crooke, veep and GM of Intel's non-volatile memory solutions group) 이 이에 대해서 설명하면서 1 TB 용량이 2 mm 두께의 모바일 플래쉬 제품이 등장할 수 있을 것이라고 언급했다고 합니다. 이말은 향후 미래의 모바일 기기에 TB 급 용량의 플래쉬 스토리지가 장착이 가능해 진다는 이야기입니다. 그리고 10 TB SSD 가 가능할 수 있다고 언급했습니다. 


 아마도 1TB 용량의 스마트폰이나 10 TB SSD 는 기술의 발전을 생각하면 언젠가는 분명 가능할 것입니다. 문제는 아마도 가격이겠죠. 가격대비 용량을 크게 증가시키기 위해서는 신기술의 적용이 반드시 필요할 텐데 아마도 이런 3D 낸드 플래쉬가 그 가운데서 중요한 역할을 해줄 것으로 기대합니다. 미래는 예측하기 힘들지만 아마도 수년 이내로 낸드 플래쉬의 중심이 3D 낸드 쪽으로 이동하지 않을까 조심스럽게 생각합니다. 


 참고 


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