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2017년 7월 21일 금요일

8GB HBM2 메모리를 증산하는 삼성전자




삼성 전자가 대용량 고속 TSV 메모리인 8 GB HBM2를 증산한다고 발표했습니다. 8-Hi HBM2 DRAM구성으로 DRAM을 8개의 층으로 쌓아올려 하나의 칩에 8GB라는 대용량을 구현한 적층형 메모리입니다. KGSDs (known good stacked die)라고 알려진 이 제품은 2016년 초에 4GB 용량의 4-Hi HBM2 KGSDs의 후속 제품으로 4층 대신 8층으로 쌓아 용량을 늘렸습니다. 


 모든 KGSDs 제품은 1024-bit bus와 핀당 2Gbps의 속도를 지니고 있는데 이는 실리콘 사이를 뚫고 지나가는 5000개 이상의 TSV 회로 덕분입니다. 하나의 칩당 256GB/s의 속도를 지녀 4개의 칩만으로도 1TB/s의 속도를 구현할 수 있습니다. 


 8 GB HBM2 KGSDs는 현재 삼성전자만 양산을 하고 있는 메모리로 AMD의 베가에 사용되는 메모리입니다. 물론 앞으로는 엔비디아의 고성능 HPC 제품군에도 탑재될 것입니다. 비록 비싼 가격으로 인해 일반 소비자용 그래픽 카드에는 널리 활용되지 못하고 있지만, 앞으로 양산 증가에 따라서 고급형 그래픽 카드부터 적용이 되기를 기대해 봅니다. 


 삼성 전자는 8GB HBM2 메모리의 생산을 늘려 2018년 상반기에는 전체 HBM2 메모리의 절반이 8GB 용량 제품이 될 것으로 예상하고 있습니다. 


 참고 


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