현재 주로 사용되는 비 휘발성 메모리는 플래쉬 입니다. 최근 SSD 는 물론 여러 모바일 기기에 없어서는 안될 메모리로 널리 사용되긴 하지만 고 집적도로 갈수록 속도와 수명등 여러가지 문제가 제기되고 있어 여러가지 형태의 차세대 메모리가 연구 개발 중에 있습니다.
그중에서 2012 년에 점차 상용화 가능성이 보이는 것은 ReRAM (Resistive Random Access Memory, RRAM 이라고 하기도 함) 으로 이는 부도체에 충분히 높은 전압을 가하면 전류가 흐르는 통로 (filament) 가 형성되어 저항이 낮아지는 현상을 이용한 것입니다. 일단 통로가 형성되면 다양한 전압을 가해서 이 통로를 쉽게 없애거나 다시 만들 수 있습니다.
현재 여러회사에서 다양한 물질을 가지고 ReRAM 개발에 나서고 있는데 후보가 되는 물질은 페로브스카이트 (Perovskite), 전이 금속 화합물, 칼코게나이드 (Chalcogenide) 등 다양합니다.
RRAM 은 기존의 낸드 플래쉬 보다 속도가 10 배 정도 빠르며 전력 소모를 30% 줄일 수 있어 모바일 기기는 물론이고 점차 저전력화 고속화 되는 SSD 및 기타 저장 장치에 널리 사용될 수 있을 것으로 기대됩니다.
올해 초 파나소닉은 올해말 ReRAM 의 견본 제품을 올해 말까지 생산한다고 발표한 바 있으며 내년에는 양산에 들어갈 것이라고 밝힌바 있는데 실제로 가능할지는 지켜보면 알 수 있을 것으로 보입니다. 한편 UCL (University College London) 의 과학자들은 산화 실리콘 기반의 ReRAM 을 개발하는데 성공했다고 합니다.
기반 물질로 실리콘을 사용할 수 있다면 기존의 실리콘 기반 기기와 쉽게 통합이 가능할 뿐 아니라 생산도 쉬워질 것으로 예상해 볼 수 있습니다.
과연 언제쯤 진짜 시장에서 매우 빠른 속도로 동작하는 ReRAM 제품을 볼 수 있게 될지 기대되는 뉴스드이라고 할 수 있습니다.
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