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2014년 4월 7일 월요일

TSV 기술 적용 128 GB DDR4 모듈 개발



 SK 하이닉스가 보도 자료를 내고 세계 최초로 128 GB DDR4 모듈을 개발했다고 발표했습니다. 새 DDR4 모듈은 8 Gb DDR4 칩을 기반으로 이를 TSV (Through silicon via. 실리콘 관통 전극) 을 통해 용량을 두배로 늘린 것으로 이를 통해 64 GB 에서 128 GB 로 모듈당 집적도를 높일 수 있다고 합니다. 속도는 2133 Mbps 로 64 개의 I/O 를 가진 모듈을 통해 초당 17 GB 정보를 전달할 수 있습니다. 전압은 DDR4 의 표준인 1.2 V 로 이전의 DDR3 대비 더 저전력으로 작동할 수 있습니다.  



(128 GB DDR4 모듈    Source : SK 하이닉스)  


 DDR4 에 대해서는 이전에 여러 차례 포스트를 작성했으므로 세부적인 사항은 이전 포스트들을 참조해 주시기 바랍니다. 최근에 여기 저기서 양산 소식이 들리는 것으로 보면 2014 년부터는 확실히 DDR4 의 도입이 시작될 것 같습니다.   



 이미 삼성전자는 DDR4 메모리 양산에 나선 상태이고 비교적 후발 주자인 마이크론 역시 DDR4 메모리 양산을 발표한 바 있습니다. DDR4 메모리는 4- 16 Gb 라는 높은 밀도를 지원해서 DDR3 의 512 Mb - 4 Gb 에 비해서 대용량화를 쉽게 이룩할 수 있습니다. 여기에 더해서 TSV 까지 적용한다면 TB 시스템 메모리 구축도 그렇게 어렵지 않을 것으로 보입니다.  


 물론 이런 대용량의 메모리는 대부분 서버 및 HPC 영역에서 필요로 할 것이고 현재 대다수 유저들은 사실 8 GB 든 16 GB 든 큰 차이는 느끼기 어려운 게 사실이죠. 그러나 역사적으로 봤을 때 '이 정도면 충분한' 메모리 용량이란 사실 단정짓기 어렵고 결국은 항상 더 큰 메모리를 필요로 하는 OS 와 어플리케이션이 등장했습니다. 과거 십 수년 전 MB 급으로 메모리를 장착했던 시절이 있었음을 상기하면  TB 급 메모리를 장착하는 미래도 언젠가는 오지 않을까 생각하네요.  


 참고  




  

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