(출처: 인텔) 인텔이 핫 칩스 (Hot Chips) 2026에서 18A-P에 대한 새로운 내용을 공개했습니다. 이번에 공개된 가장 중요한 내용은 이전에 알려진 다아이몬즈 래피즈 제온 프로세서에만 18A-P 공정을 적용하는 것이 아니라 기존에 TSMC의 2nm 공정을 사용한다고 알려진 노바 레이크에도 적용할 수 있다고 발표한 것입니다. 18A-P 공정은 18A의 개선형으로 트랜지스터 밀도는 동일하나 18A 대비 동일한 전력 소비에서 성능이 9% 향상되거나, 동일한 성능에서 전력 소비가 18% 감소합니다. 이전 포스트: https://blog.naver.com/jjy0501/224319132905 18A-P의 핵심은 파워부스트로 후면 전력 공급 기술인 파워비아를 개선해 아래 위로 전력을 동시 공급하므로써 효율을 높이고 더 세밀한 전력 제어를 가능하게 합니다. 인텔은 여기에 더해 18A에서 도입한 리본펫 (RibbonPET) GAA 기술을 좀 더 개선하고 열 배출 성능도 업그레이드 했습니다. 디바이스 18A 18A-P 특징 기본 W2, W3 등 W2, W3 + 확장 - 저전력용 제한적 W1, W1.5 낮은 커패시턴스, 저전력·저누설 최적화 고성능용 W3 W3P (Power Boost) Dual-contact 구조 (리본펫 개선점) 항목 18A 18A-P 개선 폭 열 저항 (Thermal Resistance) 기본 개선 20~40% 감소 (본딩 스택 열 전도도 50% 향상) Via 저항 (성능 크리티컬 레이어) 기본 개선 10~30% 감소 Skew Corner (공정 변동성) 기본 타이트닝 약 30% 축소 → 수율·예측성↑ 금속층 기본 2개의 추가 Coarse Metal Layer 인터커넥트 RC↓ → 1.1V에서 +3%, 0.65V에서 +2% 주파수 + 2% 전력 감소 ( 열·인터커넥트·공정 품질 개선 ) 이를 통해 생산 실리콘(x86 CPU 코어) 기준으로 0.5V 저전압에서 30% 높은 동작 주파수를 달성했는데,...