(인텔 로드맵. 출처: 인텔)
인텔은 18A 공정 양산 성공 후 현재 18A의 업그레이드 버전인 18A-P와 2세대 공정인 14A를 준비하고 있습니다. 18A-P는 올해 애리조나 Fab 52에서 양산을 시작할 것으로 보이며 14A는 Fab 62 혹은 오리건 주의 D1x 팹에서 시험 생산에 들어간 후 현재 오하이오에 건설 중인 새로운 팹들에서 추가 양산될 가능성이 높습니다. 18A-P처럼 14A 역시 2세대 노드가 존재할 것으로 보이며 (14A-E는 같이 개발하는 특수 노드) 로드맵에서도 그 존재가 표시되어 있습니다.
14A 공정은 리본펫 2 (RibbonFET 2, 2세대 Gate-All-Around / GAA 트랜지스터)와 파워비아 기술의 후속작인 파워 다이렉트 (PowerDirect, 2세대 후면 전력 공급 기술, Backside Power Delivery Network, BSPDN)를 핵심 기술로 사용합니다. 주요 성능 개선은 18A와 비교해서 동일 전력에서 15~20% 향상 혹은 동일 성능에서 전력 25-35% 감소, 그리고 최대 트랜지스터 밀도 30% 향상입니다. 마지막으로 블록단위 최적화 기술인 터보 셀 (Turbo Cells) 기술로 고성능/저전력/축소 영역을 유연하게 혼합할 수 있다고 합니다.
한편 공식 로드맵에는 존재하지 않지만, 일부 외신 보도에 따르면 인텔은 2세대 14A 공정 (14A2)을 검토 중에 있다고 합니다. 18A-P를 생각하면 이 자체는 쉽게 예상할 수 있는 일이지만, 흥미로운 대목은 14A의 파워 다이렉트에 전면 전력 공급 (front-side power)를 추가해 양면으로 전력을 공급한다는 (dual-sided architecture)는 대목입니다.
그 이유 M0 pitch (최초 금속 배선 피치)를 14A의 28nm에서 21nm로 더 축소하면서 발생하는 저항 증가, nTSV (Nano Through-Silicon Via) 한계 극복하기 위해서입니다. 따라서 후면 전력 공급 이외에 전면 전력 공급층을 추가해 보조 전력으로 사용한다는 것인데, 그런 구조나 너무 복잡해지지 않나 하는 의문입니다.
루머에서도 아직은 검토 중이라고 하는데, 아무튼 이런 루머가 나올 정도로 인텔의 14A 공정도 개발 진척을 보이고 있는 것으로 생각됩니다. 하지만 아직은 18A 공정도 양산 규모가 내부 수요를 다 감당할 정도로 크지 않고 아직도 수율을 높여야 하는 단계로 갈길이 먼 상태입니다. 지금은 18A-P 양산과 18A 수율 개선에 집중하면서 14A를 차질 없이 진행하는 것이 먼저일 것입니다.
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