(AI 생성 이미지)
현재 애플은 중국 CXMT와 YMTC에서 각각 D램과 낸드 플래시 메모리를 공급 받기 위해 전방위 로비를 벌이고 있다는 루머가 널리 퍼져 있습니다. 반복적으로 나오고 있는데도 부정하지 않는 걸 보면 어느 정도는 사실로 생각되며 사실 그럴 만한 이유가 있기도 합니다. 일부라도 CXMT 메모리를 사용하면 메모리 빅3와 어느 정도 협상력을 갖출 수 있기 때문입니다.
하지만 실제로는 고성능 제품에 사용하기에는 아직 검증이 부족한 게 아니냐는 의견도 있습니다. 이미 12GB LPDDR5x 8533/9600MT/s 제품을 양산하고는 있지만, 상대적으로 구형 공정에 DUV 리소그래피를 적용해서 다이 사이즈가 크고 전력 소모도 크다는 지적이 있기 때문입니다. DDR5 다이도 사실 40% 정도 더 크다는 이야기가 있습니다. 구체적인 크기와 전력 소모는 기업 기밀이지만, 12Gb/16Gb 다이인 점으로 봐서 삼성의 32Gb 다이 대비 전력 소모 및 면적에서 불리할 것으로 예상할 수 있습니다.
(CXMT에 대한 이전 영상)
다만 이 경우에도 아이폰 18e 같은 보급형 모델이나 보급형 아이패드, 그리고 공간 및 전력 소모에서 덜 민감한 맥 미니나 맥북 네오 등에 적용할 경우 상당한 공급 압박을 피할 수 있어 애플로써는 매력적인 대안이 아닐 수 없습니다.
한편 CXMT는 EUV 리소그래피 장비를 구할 수 없다는 현실적 어려움을 극복하기 위해서 칩을 연결하는 데 사용되는 기존의 마이크로범프 대신 두 개의 웨이퍼를 정밀하게 정렬하고 접합하는 W2W(웨이퍼 간 하이브리드 본딩, Wafer-to-Wafer (W2W) Hybrid Bonding) 기술을 개발하고 있습니다. 본딩 D램 (Bonding DRAM)이라고도 불리는 이 기술은 CXMT가 중국 허페이의 시범 생산 라인에서 테스트 중이며, 주요 목표는 고밀도 메모리의 양산인 것으로 알려졌습니다.
또 다른 기술적 돌파구는 메모리 셀 어레이와 주변 제어 로직 회로의 분리입니다. 두 부품이 서로 다른 웨이퍼에 존재함으로써 각기 다른 공정을 사용하여 제조할 수 있어 최적화된 결과를 얻을 수 있습니다. 이 두 가지 핵심 기술 혁신은 기존의 마이크로 범프를 제거하여 물리적 공간을 절약하고 지연 시간과 기생 전기 저항을 줄일 수 있습니다. 결국 현재 CXMT가 생산하는 D램 다이보다 밀도를 크게 높여 아이폰처럼 공간 확보가 중요한 제품에서 사용할 수 있는 고밀도 고속 메모리를 만드는 것이 목표로 보입니다.
참고로 현재 CXMT의 메모리 기술 개발 현황은
현재 양산 수준: G4 (1z-equivalent, 약 16~17nm급) DRAM. DDR5, LPDDR5X 등 생산 중이며, 시장 점유율이 빠르게 확대 (2025년 1분기 기준 ~8% 수준까지 성장).
다음 세대 (G5, 1a-equivalent, ~15nm 이하): DUV + 멀티패터닝으로 EUV 없이 추진 중. Micron도 비슷한 방식으로 1a 노드를 개발한 바 있습니다.
HBM 분야: HBM3/HBM3E 개발 중 (생산 라인 20% 전환). 2026년 말까지 본격 양산 목표지만, 수율·스택(8Hi/12Hi) 안정화가 과제.
로 알려져 있습니다.
다만 본딩 D램 기술은 현재 연구 단계로 실제 양산까지는 상당한 시일이 걸릴 가능성이 있고 성공 여부도 아직은 확실치 않습니다. 그러나 기본적으로 중국은 YMTC의 Xtacking 기술처럼 본딩 기술은 어느 정도 기술력을 축적한 상태입니다. 메모리 셀 영역과 제어 로직 회로를 별도 웨이퍼에서 최적 공정으로 제작한 후, 하이브리드 본딩으로 정밀 접합다는 점에서 본딩 D램 기술은 Xtacking 기술과 비슷한 측면이 있는 것으로 보이며 둘이 기술적으로 협력할 관련성이 높아 보입니다.
(YMTC Xtacking 기술 설명 1:30 이후 )
아무튼 이제는 단순히 후발주라고 무시하긴 어려운 중국 메모리 기업들의 엄청난 성장인데, 앞으로 2-3년 후 시장 판도를 어떻게 바꾸게 될지 주목됩니다.
참고
https://wccftech.com/cxmt-developing-high-density-dram-without-euv-might-make-apple-interested/

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